半導体の前工程において、ウェーハを高温で加熱し、酸化膜の形成、不純物の拡散、イオン注入後の結晶回復・活性化などを行う装置
多数のウェーハを一括処理するバッチ式と、1枚ずつ処理する枚葉式(RTP)がある。