半導体のエッチング工程において、レジストパターンをマスクとして、プラズマや薬液でウェーハ上の薄膜を選択的に除去し、微細な回路パターンを形成する装置

• ウェットエッチング装置

  薬液を用いて化学反応で膜を溶解・除去する。処理が高速で下地へのダメージが少なく、全面除去などに用いられる。

• ドライエッチング装置

  薬液を使わず、ガスやプラズマで膜を除去する。プラズマを用いたRIE（反応性イオンエッチング）装置が代表的で、垂直に深く削る異方性加工に優れ、微細パターンの加工に広く用いられる。

• ドライエッチング装置で世界シェアトップクラス^[1][2]

  

  ドライエッチング装置で高いシェアを獲得・維持^[1]。

  

  ガスケミカルエッチング装置で世界シェア1位、プラズマエッチング装置で世界シェア2位を誇る。^[3]。