半導体のフォトリソグラフィ工程で、ウェハ上に塗布される感光性樹脂材料。光(紫外線・EUVなど)を当てた部分の現像液への溶けやすさが変化する性質を利用して、回路パターンを形成する
露光により光が照射されたフォトレジストは、非露光部と比較して溶解性が変化する。
この溶解性の違いにより、フォトマスクの回路パターンがフォトレジストに転写される。このレジストをマスクとし、続くエッチングやイオン注入を行うことで、微細な構造・回路を形成することが可能です。
半導体製造に欠かせないフォトレジスト(感光性樹脂)で世界シェア2位[1]。