半導体デバイスを形成するための土台。高純度シリコン単結晶を薄く円盤状にスライスし、鏡面研磨した基板材料

• ポリッシュドウェーハ

  シリコン単結晶をスライスして表面を鏡面研磨した、最も基本的なウェーハ。多くのデバイスの基板に使われる。

• エピタキシャルウェーハ

  ポリッシュドウェーハの表面に、単結晶のシリコン層（エピタキシャル層）を成長させたウェーハ。結晶欠陥が少なく、パワー半導体やロジックなどに使われる。

• SOIウェーハ

  シリコン基板の上に絶縁層（酸化膜）と薄いシリコン層を重ねたウェーハ。寄生容量を抑えられ、低消費電力・高速な用途に向く。

• シリコンウェーハで世界シェアトップ^[1]

  

  半導体製造の出発材料であるシリコンウェーハで世界トップシェア^[1]。