6【研究開発活動】

　当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びEUVマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。

　新しい製品の開発にあたっては、既に製品を納入している多くのお客さまや各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客さまの顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供するように努めております。また、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことも同時に心がけております。

　当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、DUV（Deep Ultraviolet、遠紫外線）光学系、EUV（Extreme Ultraviolet、極端紫外線）光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではAI技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客さまのニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「高輝度EUVプラズマ光源　URASHIMA」

　「URASHIMA」は、ACTISの光学系に最適化した設計によってペリクルへの入熱を最小限に抑えることで、ペリクルの劣化を防止しながらペリクル付きマスクの高輝度照明による高感度検査を可能にした製品です。高速回転する液体状のSnにレーザーを照射してEUV光を発生させるLPP（Laser Produced Plasma）方式を採用しています。Snを使ったEUV光源では、デブリの抑制が重要な課題のひとつです。本製品は、当社が独自に開発したデブリミチゲーションシステムを用いることで、マスクがデブリで汚染されることのないデブリフリーのEUV光源であることに加えて、照明光学系のコンタミネーションも抑制し、従来を上回る生産性を実現しました。

「アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置　ACTIS A300シリーズ」

　「A300」は、新たに設計された光学系や高輝度光源「URASHIMA」を採用し、従来のA150シリーズと比較して非常に高い欠陥検出性能を実現しました。High-NAリソグラフィではXY方向の投影倍率が異なるアナモルフィック光学系が採用され、それぞれの方向で異なる解像度が求められます。A300シリーズは現行のNAリソグラフィ向けとHigh-NAリソグラフィ向け、両方のEUVマスク検査に対応しています。

「ビア深さ測定装置　VIANCAシリーズ」

　「VIANCA」は、次世代プロセスで必要とされる高アスペクトレシオ小径ビアのエッチング深さの高精度な測定を可能にした装置です。AI技術の発展に伴いより高性能なGPUが必要とされる中、GPUに搭載されるHBM（広帯域メモリ）にも高性能化と小型化が求められており、HBM製造時に用いられるTSV（シリコン貫通電極）技術のさらなる小径化と高アスペクト化が大きな課題となっています。本製品は、独自の光学系により、従来の光学系では測定不可能であった高アスペクトレシオ小径ビアの深さ測定を実現し、Cu配線後のCu高さ測定等、HBM製造工程における重要な品質管理項目を高精度に測定することを可能にしました。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、12,165百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

６【研究開発活動】

　当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。

　新しい製品の開発にあたっては、既に製品を納入している多くのお客さまや各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客さまの顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供するように努めております。また、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことも同時に心がけております。

　当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客さまのニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「高感度内部欠陥検査／レビュー装置　ＣＩＲＩＵＳシリーズ」

　「ＣＩＲＩＵＳ」は、独自光学系によって内部欠陥の高感度な検査を可能にした装置です。半導体製造プロセスでは、線幅の微細化と並行して３Ｄ―ＮＡＮＤフラッシュメモリなどの高積層化が進んでおり、デバイス内部に発生する欠陥（内部欠陥）の低減が大きな課題となっています。本製品では、従来の検査方式では検出不可能であった内部欠陥について、非破壊検査でレビューと深さの特定ができるようになりました。お客さまの製造ラインにおけるプロセスの早期改善や生産コストの削減を支援します。

「高感度ウェハエッジ検査装置　ＣＩＥＬシリーズ」

　「ＣＩＥＬ」では、「ＥＺ３００」の光学系を一新して高感度・高スループット検査を実現しました。半導体デバイスの微細化や高積層化に伴い、ウェハエッジを発生源とする欠陥が増えており、さまざまな欠陥の中から歩留まりを低下させる欠陥のみを検出・分類したいというお客さまのご要望に応えた製品です。ディープラーニング技術を用いた高精度な欠陥分類と、独自光学系の３Ｄ機能によって高さ・深さ情報を含む高解像度画像の取得を可能とし、検出すべき欠陥を抽出する機能を充実させました。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、10,977百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

５【研究開発活動】

　当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。

　新しい製品の開発にあたっては、既に製品を納入している多くのお客さまや各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客さまの顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供するように努めております。また、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことも同時に心がけております。

　当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客さまのニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「ＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置　CLIOS G834Advance、CLIOS G800LITE」

　ＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置「CLIOS G834Advance」はハイエンド向けのマスク検査機です。光学系の刷新と新開発の画像処理で、従来装置の検査処理速度を維持しつつ、ＦＰＤフォトマスク基板の振動等による疑似欠陥を大幅に低減しました。さらに新型ＴＤＩカメラの搭載で撮像画像を鮮明化し、最高検出感度を従来装置の0.35µmから0.3µmへ向上することで、高精細で高品質な最先端マスクの品質保証を可能にしました。

　ＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置「CLIOS G800LITE」は生産数量が多いミドルエンド向けのマスク検査機です。従来のデュアルヘッドから、シングルヘッドにすることでコストダウンし、新規光学系による視野拡大と光源の短波長化により、必要とされる欠陥検出感度を維持した上で検査速度は約３倍を実現し、コストパフォーマンスに優れたモデルとなっております。

「コンフォーカル顕微鏡自動検査/レビュー装置　OPTELICS AI²」

　「OPTELICS AI²」は、自動欠陥検査から欠陥レビュー、３次元形状測定まで一台で対応可能とした新型のコンフォーカル顕微鏡で、開発から生産に至るまであらゆる場面での活躍を想定した装置です。

　本装置では当社のコア技術であるコンフォーカル光学系および半導体検査装置の開発で培った自動検査ソフト、さらに新設計の高速動作可能なハードウェアを統合することで、ハイスループットの高速検査機能と、コンフォーカル顕微鏡による高倍率形状測定機能を両立しました。また、Deep Learningを用いたＡＩ検査技術により、高精度な画像分類や、パターン付き基板検査、特定種の欠陥抽出といった高度な検査機能も備えております。

「マスク検査装置　MATRICS X9ULTRA」

　「MATRICS X9ULTRA」は、2018年に発売し、ペリクル非装着ＥＵＶマスクの検査装置として大変ご好評を頂いているX8ULTRAシリーズの次世代機種です。新たに自社開発したハイパワー193nmレーザー光源および高ＮＡ対物レンズを搭載する事により、従来機よりもさらに微小異物検出性能を向上し、テクノロジーノード3nm以降のペリクル非装着ＥＵＶマスクに特化したマスク検査システムとなっております。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、8,626百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

５【研究開発活動】

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。

新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。

また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供するように努めております。

当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「マスクエッジ検査装置　ＭＺ１００」

マスクエッジ検査装置「ＭＺ１００」は、ＥＵＶおよびＤＵＶマスクのエッジ部における高感度検査、レビュー、計測を可能にした装置です。従来管理のなされていなかったマスクエッジ部のサイド面、ベベル部の欠陥検査や製造プロセス変動の管理を行うことで、お客さまのフォトマスク製造プロセスでの歩留まり向上や高品質化に寄与することを目的としています。

本装置は当社のコア技術であるコンフォーカル光学系、先端フォトマスク検査装置で培った検査・マスクハンドリング技術、及びウェハエッジ検査装置ＥＺ３００の光学系機構を統合することでフォトマスクエッジ部の検査を可能としました。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、5,706百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

５【研究開発活動】

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。

新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。

また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供することが最重要であると考えております。

当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「アクティニック^（注）パターンＥＵＶパターンマスク欠陥検査装置　ＡＣＴＩＳ　Ａ１５０」

新たに開発したＥＵＶマスク欠陥検査装置ＡＣＴＩＳ「Ａ１５０」は、長年培ったマスクパターン検査技術とＥＵＶ光による検査技術を利用した世界初のＥＵＶパターンマスク欠陥検査装置です。波長の短いＥＵＶ光を用いた検査方式を採用しているため、従来のＤＵＶレーザーを用いたマスク検査機に比べ圧倒的に高い欠陥検出感度と、さらにＥＵＶマスク特有の転写性位相欠陥の検出を可能としました。

当社は、ＥＵＶリソグラフィを用いて半導体の微細化に取り組む最先端半導体メーカーのご要望にお応えし、2013年にＥＵＶマスク裏面検査/クリーニング装置「ＢＡＳＩＣシリーズ」、2017年にＥＵＶマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置ＡＢＩＣＳ「Ｅ１２０」、そして2018年にＥＵＶマスク欠陥検査装置ＭＡＴＲＩＣＳ「Ｘ８ＵＬＴＲＡシリーズ」を製品化してまいりました。しかしながら、ＥＵＶ光を用いたアクティニックパターン検査装置はこれまで製品化されておらず、ウェハの歩留り向上に必要なＥＵＶマスク製造インフラ構築上の課題となっていました。本製品でこの課題が克服され、ＥＵＶリソグラフィの量産適用に必要な装置が出揃うことになります。

　(注) アクティニック検査：露光装置と同じ波長の光での検査（特にＥＵＶマスクについて）

当連結会計年度の研究開発費の総額は、3,297百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

５【研究開発活動】

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を高いレベルで融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術であり、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されております。

新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。

また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズを正確につかみ、独創的な視点と技術でどこよりも早く問題解決の方法をご提供することが最重要であると考えております。

当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めております。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりであります。

「マスクブランクス^（注）欠陥検査／レビュー装置　ＭＡＧＩＣＳシリーズ　Ｍ９６５０／Ｍ９６５１」

当社のマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置　ＭＡＧＩＣＳシリーズは、長年にわたり高い評価と信頼をいただき、業界標準機としてマスクブランクスメーカーでの出荷検査及びマスクショップでの受け入れ検査やプロセス管理で活用されております。近年、最先端の微細化プロセスに対応するため、マスク技術においてもＥＵＶや新構造マスクの適用など様々な技術革新が行われており、これに伴いマスクブランクス検査もさらなる高性能・高機能化が必要となっています。

この様な次世代のニーズに対応するため、設計ルール５nm世代以降の最先端マスクブランクスをはじめとし、ＥＵＶマスクブランクスの母材となるサブストレート^（注）などの微小欠陥を高感度で検出できる　　　　Ｍ９６５０／Ｍ９６５１を開発しました。最新機種であるＭ９６５０／Ｍ９６５１は、ＭＡＧＩＣＳの基幹技術をベースに検査光学系の刷新を行うと共に、当社マスクパターン検査装置で培った高速検査回路技術を採用し、微小欠陥の欠陥検出感度を大幅に向上させています。また、量産工場での出荷・受入検査に適した高いスループットを実現しています。

　(注) マスクブランクス：パターニングされる前のフォトマスク製造用の基板

　　　 サブストレート：マスクブランクスを作る前のガラス基板

当連結会計年度の研究開発費の総額は、3,590百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

５【研究開発活動】

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を高いレベルで融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術であり、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されております。

新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。

また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズを正確につかみ、独創的な視点と技術でどこよりも早く問題解決の方法をご提供することが最重要であると考えております。

当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めております。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりであります。

(１)　第10.5世代用ＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置 ＣＬＩＯＳ Ｇ１０シリーズ及びＣＬＩＯＳ用ペリクル検査/貼り付けシステム ７１ＰＡ ＣＭ

近年のＦＰＤ業界では、スマートフォンやタブレット端末に代表される中小型高精細ディスプレイ、４Ｋ・８Ｋ 高解像度大型テレビ等への対応が急務となっており、フォトマスクのパターンの微細化及び基板サイズの大型化が進展しています。また、中国における第10.5世代液晶ディスプレイ工場への投資が相次いだ事から、ＦＰＤ用大型フォトマスク検査の必要性が更に高まりました。

当社グループでは、こうした市場のニーズに対応すべく、第10.5世代に対応したＦＰＤフォトマスク欠陥検査装置、及びペリクル検査/貼り付けシステムの新製品を開発いたしました。

ＣＬＩＯＳ　Ｇ１０シリーズ は、ＦＰＤの生産に使用される第10.5世代（2,000mm × 1,800mm）までの大型フォトマスクを高感度かつ高スループットで検査が可能です。新設計ステージと高速化した欠陥検出処理ユニットにより、検査時間を従来モデル比３割削減しました。

７１ＰＡ ＣＭは、第10.5世代までの様々なサイズのペリクルの貼り付け作業を、マスク欠陥検査直後のクリーンな環境下において、リモート操作で実施できます。またオプション機能によりペリクル表面、裏面の異物検査が可能です。

(２)　ＧａＮウェハ欠陥検査/レビュー装置 ＧＡＬＯＩＳ（ガロワ）シリーズ

世界規模での省エネルギー意識が高まる中、エネルギー効率を極限まで高める新技術の必要性が高まっています。その材料として大きな発展が期待できるＳｉＣ（炭化ケイ素）やＧａＮ（窒化ガリウム）などの化合物半導体は、パワーエレクトロニクスや高速通信、ＬＥＤなどへの実用化に向け、品質改善やコスト低減への研究開発が活発化しています。

工業化に向け先行しているＳｉＣにおいては、欠陥検査/レビュー装置「ＳＩＣＡ８８」が業界標準検査機として使用され、高スループット、高精度欠陥分類、高解像度レビュー画像などの点が市場から高く評価されています。

一方、ＧａＮデバイスの普及においては、ウェハ製造コスト、多数の結晶・加工欠陥が障害となっており、ウェハの品質改善が求められています。当社グループはこれらの課題解決に貢献すべく、ウェハの加工欠陥・結晶欠陥を高感度かつ高速に検出・分類し、高解像の欠陥レビューが可能なＧａＮウェハ欠陥検査/レビュー装置 ＧＡＬＯＩＳシリーズを製品化しました。

ＧＡＬＯＩＳは当社グループのコア技術である明視野コンフォーカル光学系と微分干渉光学系を組み合わせ、最新の画像処理技術に基づいた検査アルゴリズムにより、透明基板による裏面反射や、ＧａＮウェハ表面のモルフォロジーに影響されること無く、ウェハ表面に存在する各種欠陥を高感度に検出することができます。

欠陥の分類には高速の処理コンピュータと、最新のディープラーニングを含む機械学習アルゴリズムによる学習モデルを使用し、前述のコア技術による高解像度レビュー画像に基づき、様々な不定形状の欠陥を検査と同時に高精度分類します。

(３)　マスク欠陥検査装置  ＭＡＴＲＩＣＳ　Ｘ８ＵＬＴＲＡシリーズ

デバイスパターンの微細化に伴い、次世代露光技術であるＥＵＶリソグラフィの実用化が、いよいよ間近に迫ってきました。半導体デバイスの回路パターンの原版であるマスクは常に高い品質が求められますが、特に微細なパターンが形成されるＥＵＶマスクでは、欠陥や異物をより高い感度で検出することが要求されます。

また、ＥＵＶリソグラフィと既存のＤＵＶリソグラフィとが併用される今後の最先端のウェハファブでは、反射型のＥＵＶマスクと従来の透過型のフォトマスクとが混在し、これらのいずれにも対応できる検査装置の必要性が高まっています。

ＭＡＴＲＩＣＳ　Ｘ８ＵＬＴＲＡシリーズは、デザインノード７nm～５nmのＥＵＶマスク及び従来のフォトマスク両方に対応できる半導体マスク検査装置であり、ピクセルサイズ45nm、ハイパワー213nmＱＣＷレーザー（>400mW）、及び２種類の偏光照明により、高感度化を達成しました。

マスクのパターン寸法分布をマスク検査と同時に計測し、可視化する機能を有し、また初期状態のマスクパターンの全画像を保存し、ウェハ露光後のマスクパターンと比較して、マスク上の異物を検出するマスクtoマスク比較検査機能も新たに搭載しました。

フォトマスク用の収納PodであるＲＳＰ150、ＲＳＰ200のみならず、ＥＵＶマスク用のDual Pod（二重構造ポッド）にも対応可能であり、ＯＨＴ（天井走行レールガイド式無人搬送車）と連動した全自動検査が可能です。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、27億72百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

６【研究開発活動】

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を高いレベルで融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術であり、代表的な製品である半導体フォトマスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤ用大型マスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されております。

新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。

また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズを正確につかみ、独創的な視点と技術でどこよりも早く問題解決の方法をご提供することが最重要であると考えております。

当社は、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めております。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりであります。

(１)　リソグラフィプロセス検査装置　ＬＸ５３０

リソグラフィプロセス検査装置ＬＸ５３０は、半導体のパターニング工程において、ウェハ面内におけるＣＤ^（注）異常、ＣＤばらつきを高速かつ高感度で検出する装置です。

　今日、最先端デバイスの製造において、さらなる微細化に向けたＳＡＱＰ^（注）やＥＵＶ露光、３Ｄ ＮＡＮＤデバイス向け高アスペクトエッチングといった今までにないプロセスが登場し、ＣＤ管理が一層厳格に要求されております。こうした課題に対して、従来使用されているＣＤ－ＳＥＭ^（注）やＯＣＤ^（注）による測定は測定速度が低いため、測定箇所が面内数十ポイントに制限され、局所的に発生するＣＤのばらつきを検出する事が困難でした。

このような背景から、ＣＤ－ＳＥＭと同等の感度で、ウェハ全面のＣＤばらつきを捕らえる事ができ、且つ高スループットを有するＬＸ５３０を開発しました。本装置は、現行機種ＬＸ３３０同様にマクロ検査機という特長は維持しつつ、光源や撮像系の新規開発による光学レイアウトの一新で、さらなる高感度化を実現したものです。これによって従来出来なかったウェハ外周部やショット内領域を量産ラインで管理する事ができるようになりました。

（注）ＣＤ : 半導体パターンの線幅。

ＳＡＱＰ（Self Aligned Quadruple Patterning）：光リソグラフィの限界を超えた微細なパターンを、
４倍の大きなピッチを持つフォトマスクとスペーサを用いたプロセスで製作する技術。

ＣＤ－ＳＥＭ：ウェハ上のパターン幅測定に特化した走査型電子顕微鏡。

ＯＣＤ: スポット照明した領域の平均ＣＤを光学的に求める装置。

(２)　マスクブランクス^（注）欠陥検査装置　ＭＡＧＩＣＳシリーズ　Ｍ８６５０／Ｍ８６５１

当社のマスクブランクス欠陥検査装置ＭＡＧＩＣＳシリーズは、長年にわたり業界標準機としてマスクブランクスメーカーでの出荷検査、およびマスクショップでの受け入れ検査やプロセス管理で活用されてまいりました。近年、最先端の微細化プロセスに対応するため、マスク技術においてもＥＵＶや新構造マスクの適用など様々な技術革新が行われ、これに伴いマスクブランクス検査もさらなる高性能・高機能化が必要となっています。

これらのニーズを踏まえ、当社は設計ルール10nm～７nm世代に対応したＭ８６５０／Ｍ８６５１を開発し、平成29年４月に販売開始いたしました。

Ｍ８６５０／Ｍ８６５１は、ＭＡＧＩＣＳシリーズの基幹技術を用い、355nmレーザー光源を採用し、平成26年に発売し好評頂いているＭ８３５０／Ｍ８３５１と比較して、ビーム本数を倍増、検査時間を１／２としました。さらに高密度スキャンを用いることで、Ｍ８３５０／Ｍ８３５１同等の検査時間で1.5倍の高感度を実現しました。

（注）マスクブランクス：パターニングされる前のフォトマスク製造用の基板。

(３)　ＥＵＶマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置　ＡＢＩＣＳ　Ｅ１２０

デバイスパターンの微細化に伴い、次世代露光技術であるＥＵＶリソグラフィの実用化が間近に迫っていることから、ＥＵＶマスクブランクスの品質管理を行える検査装置の整備が急務となっています。

当社は平成23年からの５年間、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）による支援の下、株式会社ＥＵＶＬ基盤開発センター（ＥＩＤＥＣ）^（注）との共同研究を進め、ＥＵＶマスクブランクス欠陥検査装置ＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）^（注）の技術開発を手掛けてまいりました。

この度、当社は共同研究で開発したＡＢＩ装置の技術を適用し、ＥＵＶ量産に対応した新たなＥＵＶマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置ＡＢＩＣＳ　Ｅ１２０を製品化いたしました。

同装置はＥＵＶ光を用いた検査／レビュー方式を採用しているため、転写性欠陥の選択的な検出とＥＵＶ光による欠陥解析を行うことが可能です。これらの性能はＥＵＶマスクブランクスの欠陥管理や歩留まり向上に大きく貢献します。

（注）ＥＩＤＥＣ：現社名　株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター（コンソーシアム企業）

　　　　　　　　　株式会社ＥＵＶＬ基盤開発センターは共同研究当時の社名

　　　ＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）：ＥＵＶＬに用いられる光源と同波長の光源(λ=13.5nm)を用いた

　　　　　　 装置

当連結会計年度の研究開発費の総額は、14億62百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

６【研究開発活動】

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を高いレベルで融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術であり、代表的な製品である半導体フォトマスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査装置、レーザー顕微鏡、及びＦＰＤ用大型マスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されております。

新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。

また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズを正確につかみ、独創的な視点と技術でどこよりも早く問題解決の方法をご提供することが最重要であると考えております。

当社は、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、ＤＵＶ^(注)光学系、ＥＵＶ^(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではＡＩ（人工知能）技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めております。

　(注) ＤＵＶ：Deep Ultraviolet、遠紫外線

　　　 ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet、極端紫外線

当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりであります。

(１)　ＳｉＣウェハ欠陥検査/レビュー装置　ＳＩＣＡ８８

　ＳｉＣ^(注)パワーデバイスはすでに自動車、エアコン、太陽光発電システム、鉄道車両などに使用され始め、市場を着実に拡げております。しかし、ＳｉＣパワーデバイスは、その製造の難しさゆえに、いまだ生産工程において結晶欠陥などの様々な問題が発生しており、品質の確保とコストの両面で大きな課題を抱えています。

ＳＩＣＡはこのようなニーズにお応えした検査装置で、平成21年に研究開発用のＳＩＣＡ６１、平成23年に量産用のＳＩＣＡ６Ｘを発売以来、高い検出感度と高精度な欠陥分類が評価され、業界標準機として多くのお客さまにご採用いただいている製品です。

このたび新たに開発したＳＩＣＡ８８は従来からのコンフォーカル微分干渉光学系による表面検査とＰＬ^(注)検査を1台に搭載した新しいプラットフォームの検査装置です。表面検査ではウェハ表面のスクラッチやエピ欠陥を、ＰＬ検査ではデバイス特性を悪化させる欠陥と言われているエピ膜内部の基底面内転位（ＢＰＤ）や積層欠陥（ＳＦ）を、同時に検出・高精度分類・判定することで、デバイスの不良原因となる欠陥の発見および解析に役立ちます。また、スループットは既存機種であるＳＩＣＡ６Ｘの２倍に高めました。

本装置はウェハプロセス、Epiプロセス、デバイスプロセスの各プロセスモニタとして、欠陥発生の原因追及に最適であり、さらにウェハのグレーディング^(注)によるプロセスコストの削減とデバイスの歩留り向上を可能にいたします。

（注）ＳｉＣ：Silicon Carbide、シリコンカーバイド

ＰＬ：Photoluminescence、フォトルミネッセンス

グレーディング：ウェハの選別とランク付け

(２)　ウェハエッジ検査装置　ＥＺ３００

　ＥＺ３００は当社のコア技術であるコンフォーカル光学系を応用し、ウェハ外周部に対する検査・レビュー・測定を行う装置です。ＥＺ３００を用いることにより1台の装置でウェハ外周部のインライン検査から欠陥種別の原因特定まで行える「All in One Concept」を実現しました。

従来ではウェハ外周部においてＤＯＩ（Defect Of Interest）を分離して検出するインライン管理は難しいとされてきました。そこで、ＥＺ３００では高解像度コンフォーカル光学系と独自のソフトウェアアルゴリズムを適用することで、凹凸判定を含む検査時の自動欠陥分類と欠陥計測を可能にしました。これにより、ウェハ外周部に対して、ＳＰＣ（Statistical Process Control）を用いたインラインＱＣを構築することが出来るようになり、異常チップ発生時の原因追跡が可能になります。

また、今までウェハ外周部の欠陥種類やサイズを特定するには、欠陥の検査後にＳＥＭやＡＦＭなどの装置を用いていました。しかし、その手法は欠陥位置合わせ等に時間がかかり、長時間を要する解析手法でした。一方、ＥＺ３００は高解像度のレビュー機能を用いた、幅・高さ・粗さの３Ｄ測定機能、および、画像処理による欠陥分類機能を実現し、プロセスフィードバックや、プロセスの最適化を迅速に行うことが可能になります。

(３)　ＦＰＤマスク向け位相差測定装置　ＭＰＭ３６５ｇｈ

　近年、ＦＰＤ業界では、スマートフォンの普及と進化に伴い、ディスプレイの高精細化へ急速にシフトしております。特に画素密度は、1000ppi(1インチあたり1000画素)まで高くなり、それに伴いパターンの微細化が進み、パターン形成時のプロセスマージンが急減してきます。

ＦＰＤ製造において高精細化の重要な役割を担うフォトマスクでは、フォトマスク上の線幅を微細化するだけでなく、上記の課題の対策として、フォトマスク上にハーフトーン膜を用いることで位相を反転させ転写する微細化技術の採用が徐々に増えつつあります。このような背景からハーフトーン膜の位相差や透過率は、微細なパターンを形成する際のフォトマスク製造プロセスにとって重要な品質管理項目となります。

当社では、こうしたフォトマスクの位相差/透過率測定のニーズに対応すべく、半導体業界の業界標準機であるＭＰＭシリーズの２光束干渉光学系技術を用いて、ＦＰＤの露光波長に使われているｉ線、ｇ線、ｈ線の位相差/透過率を測定可能にしたＭＰＭ３６５ｇｈを製品化しました。

ＭＰＭ３６５ｇｈは、プロセス開発の解析用途から量産ラインでの定期管理まで幅広くご利用いただけます。

(４)　大型マスクブランクス欠陥検査装置　ＬＢＩＳシリーズ　Ｌ８５２／Ｌ１０５２

　スマートフォンに代表される高精細ディスプレイや、４Ｋ・８Ｋ高解像度テレビへの対応のため、ＦＰＤ業界では大型フォトマスクのパターンの微細化が急速に進展しています。

　それに伴い、フォトマスク製造に必要な大型マスクブランクスの品質管理において、高感度な自動欠陥検査及び欠陥種・サイズ分類まで行う必要性が高まっています。当社では、こうしたマスクブランクスでの高感度検査ニーズに対応すべく、平成20年に発表したＬＢ７９の後継機種として、ＬＢＩＳシリーズを製品化致しました。光学系の刷新により、高感度化・高スループット化を実現し、さらに自動欠陥レビューと自動欠陥分類機能を標準機能としました。

　ＬＢＩＳの適用によって、マスクブランクスの品質向上および、マスクの歩留り改善に貢献します。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、15億83百万円であります。

なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。