６【研究開発活動】

当社グループは、「エレクトロニクスの技術で、社会が抱える様々な課題を解決し、未来に向けて、人々の豊かな暮らしと社会の発展を支え続ける」ことを使命に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和のとれた研究開発活動を継続的に進展させております。また、ＳＤＧｓ、ＥＳＧの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、将来世代、将来の社会に向けた社会課題の解決と文化の進歩向上に貢献することを目指します。

なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量や温室効果ガス排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なＳｉＣをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバＩＣなどの普及拡大をはかっていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1）「ＬＳＩ」における製品開発

・LogiCoA™電源ソリューションを提供開始

LogiCoA™マイコンを中心としたデジタル制御部分と、シリコンＭＯＳＦＥＴ等のパワーデバイスからなるアナログ回路を組み合わせた、産業機器、民生機器向けの業界初「アナデジ融合制御」電源です。フルデジタル制御電源において高速ＣＰＵやＤＳＰ等のデジタルコントローラが担う機能を低ビットのマイコンで処理できるため、アナログ制御電源では実現の難しい高機能を低消費電力かつ低コストで実現できます。

・ＳＯＰパッケージ汎用ＡＣ－ＤＣコントローラＩＣ４種をラインアップ

ＰＷＭ制御方式ＦＥＴ外付けタイプの汎用コントローラＩＣです。一般品の閾値電圧誤差±10％程度に比べ、±５％と高精度な低電圧誤動作防止機能を搭載し、産業機器のＡＣ－ＤＣ電源の信頼性向上に貢献します。

・ＡＩ機能搭載マイコンを開発

ネットワーク不要で学習と推論を単体で実現する、業界初のマイコンです。ローム独自のオンデバイスＡＩソリューション「Solist-AI™」を実現するために、シンプルな３層ニューラルネットワークのアルゴリズムを採用しています。モーターなどの産業機器をはじめ、あらゆる機器でセンシングデータを活用した故障予兆検知や劣化予測を可能にします。

(2）「半導体素子」における製品開発

・ＳｉＣモールドタイプ新型モジュール「TRCDRIVE pack™」を開発

ｘＥＶ(電動車)のトラクションインバータ向けに開発したＳｉＣモールドタイプモジュールです。

一般品と比べて1.5倍となる業界トップクラスの電力密度やローム独自の端子配置といった特長を備えており、トラクションインバータに要求される小型化、高効率化、工数削減といった主要な課題の解決に貢献

します。

・表面実装タイプのＳｉＣショットキーバリアダイオードを開発

ローム独自設計のパッケージで絶縁耐性を大幅に向上し、一般品比で約1.3倍の沿面距離を確保した表面実装タイプのＳｉＣショットキーバリアダイオードです。樹脂ポッティングによる絶縁処理が不要になるため、車載オンボードチャージャーや産業ロボット用ＡＣサーボ等の生産性向上に貢献します。

・650Ⅴ耐圧ＧａＮ ＨＥＭＴのＴＯＬＬパッケージ品「GNP2070TD-Z」の量産開始

大電力に対応するＴＯＬＬパッケージに第２世代のＧａＮ ｏｎ Ｓｉチップを搭載したＧａＮ ＨＥＭＴです。オン抵抗と出力容量の相関を示す性能指標において業界トップクラスの数値を実現しており、産業機器向け等、高耐圧かつ高速スイッチングが求められる電源システムの更なる小型化と省エネ化に貢献します。

・第４世代 1200Ⅴ ＩＧＢＴを開発

外周構造も含めたデバイス構造を見直すことで業界トップクラスの低損失特性・高短絡耐量を実現した1200Ⅴ ＩＧＢＴです。一般品比で約24％、従来品比で約35％の損失低減を実現しており、車載電動コンプレッサや産業機器インバータ等の高効率化に貢献します。

・業界トップクラスの低オン抵抗・高耐量ＭＯＳＦＥＴを開発

パッケージ内部に大型チップが搭載可能な、新開発のＤＦＮ５０６０－８Ｓパッケージにより、業界トップクラスの低オン抵抗と高ＳＯＡ耐量を実現したパワーＭＯＳＦＥＴです。企業向け高性能サーバーやＡＩサーバーの電源回路における高効率化と信頼性向上に大きく貢献します。

・赤外線光源の技術「VCSELED™」を開発

垂直共振器型面発光レーザー(ＶＣＳＥＬ)素子をレーザー光向け樹脂製光拡散材で封止することで、ＶＣＳＥＬとＬＥＤの特長を融合した新しい赤外線光源の技術です。温度依存性の低さと広角発光かつ均一な光源により、自動車の運転支援技術に貢献します。

(3）「モジュール」における製品開発

・サーマルプリントヘッド「KA2008-B07N70A」を開発

業界トップクラスの縦幅11.67mmで、リチウムイオン電池２セル駆動（ＶＨ＝7.2Ⅴ）に対応した８インチサーマルプリントヘッドです。Ａ４サイズ対応のモバイルプリンターにおいて、高品質な印字と低消費電力を両立し、省エネ化に貢献します。

(4）「その他」における製品開発

・新汎用チップ抵抗器「MCRxシリーズ」を開発

内部構造の最適化や新材料の採用により、定格電力と温度特性を向上させ、従来品に比べワンサイズ小型での使用を可能にした汎用チップ抵抗器です。製品の信頼性も高めており、自動車市場でのｘＥＶ（電動車）の普及に伴う需要増加に対応するほか、基地局やサーバーなどの通信インフラ、ＦＡ機器などの市場拡大にも貢献します。産業機器など寿命の長いアプリケーションでの継続的な使用にも寄与します。

※本項で記載している「業界初」「業界トップクラス」等の表現は、発表時点の当社調べによるものです。

※LogiCoA™、Solist-AI™、TRCDRIVE pack™、VCSELED™は当社の商標又は登録商標です。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

６【研究開発活動】

当社グループは、「エレクトロニクスの技術で、社会が抱えるさまざまな課題を解決し、未来に向けて、人々の豊かな暮らしと社会の発展を支え続ける」ことを使命に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。また、ＳＤＧｓ、ＥＳＧの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、将来世代、将来の社会に向けた社会課題の解決と文化の進歩向上に貢献することを目指します。

なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量や温室効果ガス排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なＳｉＣをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバＩＣなどの普及拡大をはかっていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1）「ＬＳＩ」における製品開発

・ＬＥＤドライバ「BD94130xxx-M」を開発

１つのＩＣで192エリアのミニＬＥＤを独立制御可能なマトリクス方式（８系統×24ch）のＬＥＤドライバです。次世代のカーインフォテインメントや車載メータークラスターなどで採用が進んでいる大型ディスプレイの車載液晶バックライトに最適で、省エネ動作や高精細化に貢献します。

・ホールＩＣ「BD5310xG-CZ / BD5410xG-CZシリーズ」を開発

磁気検出を用いた車載アプリケーション向けホールＩＣで、業界トップクラスの42Ｖ耐圧を実現。ナノレベルの極小コンデンサ容量でも安定動作します。パワーウィンドウやスライドドアなど、各種モータの回転検出用途に幅広く搭載可能です。

・EcoGaN™パワーステージＩＣ「BM3G0xxMUV-LB」を開発

次世代パワーデバイスの650Ｖ ＧａＮ ＨＥＭＴとＧａＮ ＨＥＭＴのパフォーマンスを最大限引き出すために最適化された専用ゲート駆動用ドライバ及び追加機能、周辺部品を１パッケージに同梱しています。サーバー、ＡＣアダプター等の低損失化と小型化に大きく貢献します。

・ゲートドライバＩＣ「BD2311NVX-LB」」を開発

最小ゲート入力パルス幅1.25ナノ秒でスイッチングが可能なＭＯＳＦＥＴのゲート駆動用ＩＣです。高い周波数での動作が得意なＧａＮデバイスのゲートを高速でスイッチングできるため、アプリケーションの小型化、省エネ化、高性能化に貢献します。

・音声合成ＬＳＩ「ML22120xx」を開発

業界初となるｘＥＶ車（電動車）向けＡＶＡＳ（車両接近通報装置）専用の音声合成ＬＳＩで、自動車の通報音生成に最適です。

・車載プライマリＬＤＯ「BD9xxM5-C」を開発

高速負荷応答技術「QuiCur™」搭載により、業界最高レベルの負荷応答特性を実現したプライマリＬＤＯです。車載バッテリーで動作する車載電装品やＥＣＵ（電子制御ユニット）等の低消費電力化に貢献します。

・リニアオペアンプ「LMR1901YG-M」を開発

当社独自の超低消費電流技術により、温度や電圧変化による電流増加を徹底的に抑制しバッテリーの消耗を大幅に抑制した消費電流世界最小のオペアンプです。民生・産業機器アプリケーションの省電力化に貢献します。

・リファレンスデザイン「REF66004」を共同開発

スマートコックピット向けＳｏＣメーカーの中国最大手、Nanjing SemiDrive Technology LtdとＳｏＣ向けＰＭＩＣやＳｅｒＤｅｓ ＩＣ等を搭載したスマートコックピット向けリファレンスデザインを共同開発しました。

(2）「半導体素子」における製品開発

・650Ｖ耐圧のＧａＮ ＨＥＭＴを量産開始

Delta Electronics, Inc.の関連会社でＧａＮデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.

との共同開発で、業界トップクラスのデバイス性能を実現しています。サーバーやＡＣアダプターなど幅広い電源システムの高効率化・小型化に最適です。

・100Ｖ耐圧のデュアルＭＯＳＦＥＴを５機種ラインアップ

当社の最新プロセスおよび裏面放熱パッケージを採用することで、5.0mm×6.0mm、3.3mm×3.3mmサイズで業界トップの低オン抵抗を実現しています。通信基地局や産業機器向けファンモーターの駆動に最適で、機器の低消費電力化、省スペース化に貢献します。

・当社初のシリコンキャパシタ「BTD1RVFLシリーズ」を開発

スマートフォンやウェアラブル機器などで採用が進むシリコンキャパシタを新たに開発しました。面実装タイプの量産品で業界最小の0402サイズを実現し、スマートフォンなどの省スペース化に貢献します。

・レーザーダイオード「RLD90QZW8」を開発

波長の温度依存性を66％減少させたことで測定距離を大幅にアップしたＬｉＤＡＲ用120Ｗ高出力半導体レーザーダイオードです。発光幅の97％で均一な発光強度を実現しており、ＬｉＤＡＲの検知精度向上に貢献します。

(3）「モジュール」における製品開発

・小型近接センサ「RPR-0720」を開発

ローム製素子を用いたモジュールの構造最適化によって小型サイズを実現したＶＣＳＥＬ搭載の光学式センサモジュールです。ワイヤレスイヤホンやスマートウォッチなどウェアラブル機器を中心に、着脱検知や近接検知を必要とする幅広いアプリケーションに向けて、小型化・電池容量増加に貢献します。

・サーマルプリントヘッド「TE2004-QP1W00A（203dpi）」「TE3004-TP1W00A（300dpi）」を開発

高性能印字と約30％の省エネを実現した、リチウムイオン電池１セル（3.6Ｖ）駆動の新構造サーマルプリントヘッドです。リチウムイオン電池１本でも高速・明瞭に印字でき、物流ラベル・在庫管理ラベル印刷の効率向上に貢献します。

(4）「その他」における製品開発

・金属板シャント抵抗器「PMR100」のラインアップに定格電力５Ｗかつ超低抵抗0.5mΩ/１mΩ/1.5mΩの３製品を追加しました。温度特性に優れた新材料および端子温度ディレーティングの導入により、6432サイズの保護膜ありフラットチップタイプでは業界最高クラスの定格電力５Ｗを達成。自動車、産業機器、民生機器など多様なアプリケーションにおいて、小型化に貢献するとともに、高い電流検知精度による高効率動作も実現します。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

６【研究開発活動】

当社グループは、「エレクトロニクスの技術で社会課題を解決する」ことを経営理念に、あらゆる開発業務を通じて社会課題解決に役立つ製品作りを進めております。更に次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。また、ＳＤＧｓ、ＥＳＧの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、社会の皆様の幸せと文化の進歩向上に貢献することを目指します。

なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量や温室効果ガス排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なＳｉＣをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバＩＣなどの普及拡大を図っていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「ＬＳＩ」における製品開発

・機能安全規格「ISO 26262」準拠、 次世代自動車のカメラモジュール向けPMICを開発。

・ナノレベルの極小コンデンサ容量でも安定動作する 新回路搭載、車載LDOレギュレータ「BD9xxN1シリーズ」を開発。

・業界トップクラスの安定動作を実現した、先端ADAS向けDC-DCコンバータIC「BD9S402MUF-C」を開発。

・xEV向けアプリケーションの小型化とノイズ設計工数の削減に貢献する絶縁型DC-DCコンバータ「BD7Fx05EFJ-C」を開発。

・中・大型車載ディスプレイの低消費電力化に貢献する液晶バックライト向け4ch / 6ch LEDドライバを開発。

・GaNデバイスの性能を最大限引き出す「超高速駆動制御」IC技術を確立。

(2)「半導体素子」における製品開発

・当社のSiC MOSFETが米国Lucid MotorsのハイエンドEV「Lucid Air」の車載充電システムに採用。

・当社とデルタ電子(Delta Electronics, Inc.)が電源システム用パワーデバイスの戦略的パートナーシップを締結。

・セミクロンと当社、SiCパワーデバイスの新たな協業をスタート。

・マツダ及び今仙電機と、SiCパワーモジュールを活用したe-Axle向けインバータの共同開発契約を締結。

・当社の第4世代SiC MOSFETが日立Astemoの電気自動車用インバータに採用。

・業界トップクラスのノイズ特性と業界最速の逆回復時間を両立した600V耐圧Super Junction MOSFET「R60xxRNxシリーズ」を開発。

(3)「その他」における製品開発

・幅広いアプリケーションの小型化に貢献！1220サイズで業界最高クラスとなる定格電力1Wのシャント抵抗器「LTR10L」を開発。

・車載・産業機器の両面冷却パワーモジュールに最適！定格電力12Wクラスで業界最低背の金属板シャント抵抗器「PSR350」を開発。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

５【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスの技術で社会課題を解決する」ことを経営理念に、あらゆる開発業務を通じて社会課題解決に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。また、ＳＤＧｓ、ＥＳＧの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、社会の皆様の幸せと文化の進歩向上に貢献することを目指します。

なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量やＧＨＧ排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なＳｉＣをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバＩＣなどの普及拡大を図っていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「ＬＳＩ」における製品開発

・150V GaN HEMTにおける業界最高8Vまで高めたゲート耐圧技術を開発。

・最大80V耐圧、5A出力の電源IC「BD9G500EFJ-LA」「BD9F500QUZ」を開発。

・SerDes IC「BU18xMxx-C」及びカメラ向けPMIC「BD86852MUF-C」を開発。

・業界初、小型面実装パッケージの1700V SiC MOS内蔵AC/DCコンバータIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発。

・高音質オーディオ機器向け32bit D/AコンバータIC「BD34352EKV」を開発。

・電源ICの応答性能を極限まで追求できる革新的電源技術「QuiCur™」を確立。

・業界最高8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立。

(2)「半導体素子」における製品開発

・SiCダイオード内蔵IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65Cシリーズ」を開発。

・LiDAR用75W高出力レーザーダイオード「RLD90QZW3」を開発。

・吉利汽車集団（Geely Automobile Group）とロームがSiCパワーデバイスを中心とした戦略的パートナーシップを締結。

・正海集団とローム、SiCパワーモジュール事業に関する合弁会社の設立に合意。

・UAESのSiCパワーソリューションにおける優先サプライヤーにロームが認定。

(3)「モジュール」における製品開発

・薄型機器の無線給電化を容易に実現するワイヤレスチャージャーモジュール「BP3621」「BP3622」を開発。

(4)「その他」における製品開発

・業界最高の定格電力4Wを実現した厚膜シャント抵抗器「LTR100L」を開発。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

５【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスの技術で社会課題を解決する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会課題解決に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。また、ＳＤＧｓ、ＥＳＧの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、社会の皆様の幸せと文化の進歩向上に貢献することを目指します。

なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量やＧＨＧ排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なＳｉＣをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバＩＣなどの普及拡大を図っていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「ＬＳＩ」における製品開発

・コンデンサ容量を大幅に低減できる電源技術「Nano Cap™」を確立。

・電圧０Ｖ地点（ゼロクロス点）を検出して白物家電などの待機電流を大幅に低減する、業界初のゼロクロス検知ＩＣ「BM1ZxxxFJシリーズ」を開発。

・バッテリ電圧変動に強い車載プライマリＤＣ／ＤＣコンバータ「BD9Pシリーズ」を開発。

・高音質オーディオ機器向け３２ｂｉｔ Ｄ／ＡコンバータＩＣ「BD34301EKV」の一般販売を開始。

(2)「半導体素子」における製品開発

・Ｖｉｔｅｓｃｏ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓとロームがＳｉＣパワーソリューションで協力。

・業界トップの低オン抵抗を実現した第４世代ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを開発。

・Ｌｅａｄｒｉｖｅ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙとロームがＳｉＣ搭載車載インバータ開発用、共同研究所を開設。

・ＵＡＥＳ社とロームがＳｉＣ技術共同実験室を開設。

・業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第５世代Ｐｃｈ ＭＯＳＦＥＴを開発。

(3)「モジュール」における製品開発

・複数のＷｉ－Ｆｉ機器を利用してデータ伝送を効率化するメッシュネットワーク向けに、業界で初めての１，０００台の接続を可能にした「Wi-SUN FAN」対応モジュールソリューションを提供開始。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

５【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスで社会に貢献する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「ＬＳＩ」における製品開発

・世界初、１，７００Ｖ ＳｉＣ ＭＯＳ内蔵ＡＣ／ＤＣコンバータＩＣを開発。

・業界初、自己診断機能内蔵電源監視ＩＣ「BD39040MUF-C」を開発。

・業界初、単独でシステム保護が可能な半導体ヒューズ「BV2Hx045EFU-C」を開発。

・ＮＸＰ「i.MX 8M Nanoファミリ」に最適なパワーマネジメントＩＣ「BD71850MWV」を開発。

(2)「半導体素子」における製品開発

・ＡＥＣ－Ｑ１０１に準拠した、車載向け１，２００Ｖ耐圧ＩＧＢＴ「RGSシリーズ」を開発。

・実装信頼性を確保した車載向け超小型ＭＯＳＦＥＴ「RV4xxxシリーズ」を開発。

・２００Ｖ耐圧ショットキーバリアダイオード「RBxx8BM/NS200」を開発。

・ロームのＳｉＣパワーデバイスを採用した「第３世代 走行中ワイヤレス給電インホイールモータ」の開発に成功。

(3)「モジュール」における製品開発

・業界最速かつ使いやすさを追求したサーマルプリントヘッド「TH3002-2P1W00A」を開発。

(4)「その他」における製品開発

・５．０×２．５ｍｍサイズで業界最高の定格電力４Ｗを実現したシャント抵抗器「GMR50」を開発。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

５【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスで社会に貢献する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「ＬＳＩ」における製品開発

・出力監視機能搭載、超小型車載降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ「BD9Sシリーズ」を開発。

・業界最高の低ノイズＣＭＯＳオペアンプ「LMR1802G-LB」を開発。

・業界最高の低消費電流と安定性能を実現した、車載昇降圧電源チップセットを開発。

・業界初、電力損失ゼロの小型非接触電流センサ「BM14270MUV-LB」を開発。

(2)「半導体素子」における製品開発

・業界トップクラスの高効率とソフトスイッチングを両立した６５０Ｖ耐圧ＩＧＢＴ「RGTV/RGWシリーズ」を開発。

・高温高湿環境下で業界最高水準の信頼性を実現した１，７００ＶフルＳｉＣパワーモジュール「BSM250D17P2E004」を開発。

・業界最高クラスの信頼性を実現した１６０８サイズ白色チップＬＥＤ「SMLD12WBN1W」を開発。

・車載信頼性規格ＡＥＣ－Ｑ１０１に準拠したＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ「SCT3xxxxxHRシリーズ」計１０機種を追加。

(3)「その他」における製品開発

・業界トップクラスの抵抗温度係数を実現した高電力２Ｗの長辺厚膜チップ抵抗器「LTR50低抵抗シリーズ」をラインアップ。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

５【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスで社会に貢献する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

「ＬＳＩ」における製品開発

・市場が拡大する電動自転車などのＬＥＶ（※）に最適、１３セル対応リチウムイオン電池監視ＩＣ「ML5245」を開発。

・２MHz動作で業界最高降圧比、６０Ｖ入力２．５Ｖ出力の電源ＩＣ「BD9V100MUF-C」を開発。

・世界で初めて、ノイズ設計フリーの車載オペアンプ「BA8290xYxx-Cシリーズ」を開発。

・乾電池を１．３倍長持ちさせる昇圧ＤＣ/ＤＣコンバータ「BU33UV7NUX」を開発。

・世界最小消費電流１８０ｎＡのＤＣ/ＤＣコンバータ「BD70522GUL」を開発。

・世界最小のワイヤレス給電チップセット「ML7630 (受電側)」「ML7631 (送電側）」を開発。

・自動車向け機能安全規格「ISO 26262」の開発プロセス認証を取得。

※ ＬＥＶ（Light Electric Vehicle）

電動モーターの駆動力で移動する電動軽車両の総称。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

６【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスで社会に貢献する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1）「ＬＳＩ」における製品開発

・スポーツバンドなどのウェアラブル機器に最適な脈波センサ「BH1790GLC」を開発。

・Intel社の次世代プロセッサ（Apollo Lake）に最適なパワーマネジメントＩＣ「BD2670MWV」を開発。

・業界で初めて、高精細液晶パネル向け機能安全対応車載チップセットを開発。

・あらゆる音源を再生可能なハイレゾ対応オーディオＳｏＣ「BM94803AEKU」を開発。

・ローパワーで安全機能を充実させた１６ビット汎用マイコン「ML62Q1000シリーズ」を開発。

・業界で初めて、データロガーに最適なＬＣＤドライバ内蔵１チップマイコン「ML630Q464/466」を量産開始。

(2）「半導体素子」における製品開発

・AEC-Q101準拠の３.３mm×３.３mmサイズＭＯＳＦＥＴ「AG009DGQ3」を開発。

・業界最小の低ＶＦと高サージ電流耐量を実現したＳｉＣショットキーバリアダイオード（※１）「SCS3シリーズ」を開発。

・１,７００Ｖ耐圧ＳｉＣ-ＭＯＳＦＥＴ「SCT2H12NZ」を開発。

※１．ショットキーバリアダイオード

金属と半導体を接触させることでショットキー接合が形成され、ダイオード特性が得られることを利用したダイオードのこと。順方向での電圧降下が低く、スイッチング速度が速い特長を持つため、スイッチング電源などで主に使用される。

(3）「モジュール」における製品開発

・Li-ion電池１セル電源駆動対応のサーマルプリントヘッド「KR2002-D06N10Aシリーズ」を開発。

・Wi-SUN（ワイサン）（※２）通信に対応した業界最小モジュール「BP35C0」とＵＳＢドングル「BP35C2」を開発。

※２．Wi-SUN(Wireless Smart Utility Network)

サブギガヘルツ帯と呼ばれる９００ＭＨｚ前後の周波数帯の電波を使用する国際標準通信規格で、最長で500m程度の距離の通信が可能。スマートメーターからの情報収集などスマートコミュニティ構築に最適な通信規格としての活用が期待されている。

(4）「その他」における製品開発

・車載、産業機器に最適な新耐硫化チップ抵抗器「SFRシリーズ」を開発。

(5）将来に向けての研究開発

・業界最小かつ高精度な地震検知が可能な感震センサモジュール「BW9577」を開発。

・業界で初めて、４８Ｖから３．３Ｖに直接降圧可能なＤＣ／ＤＣコンバータＩＣ技術を確立。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

６【研究開発活動】

ロームグループは、「エレクトロニクスで社会に貢献する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「ＬＳＩ」における製品開発

・業界で初めて、６００Ｖ耐圧の高効率ファンモータドライバをフルラインアップ。

・インドアナビで最高性能を実現する新型地磁気センサ（ＭＩセンサ）を開発。

・ＵＳＢ Power Delivery Type-C コントローラＩＣを開発。

・業界で初めて、次世代車載通信規格「ＣＸＰＩ」に対応した汎用トランシーバＩＣを開発。

・８０Ｖクラスの高耐圧ＤＣ/ＤＣコンバータ「BD9G341AEFJ」を開発。

・世界で初めて、ロームのリファレンスデザインが最大１５Ｗのワイヤレス給電ＷＰＣ Ｑｉ（※１）認証を取得。

・コイン電池の７万時間駆動を実現するBluetooth Smart用通信ＩＣ ML7125を開発。

・Ｉｎｔｅｌ社の次世代Core™プロセッサに最適なパワーマネジメントＩＣを開発。

・超高速シリアルバス搭載 強誘電体メモリ(ＦｅＲＡＭ MR44V064B/MR45V064B) を開発。

・車載・産業機器に最適な高信頼ＮＯＲ型フラッシュメモリ「MR29V12852B」を開発。

※１．ＷＰＣ Ｑｉ

ＷＰＣ（Wireless Power Consortium）が提唱する無接点充電に関する国際規格。

(2)「半導体素子」における製品開発

・高効率のＭＯＳインテリジェントパワーモジュールを新たにラインアップ。

・業界最小クラス小型低背のチップＬＥＤ、ＰＩＣＯＬＥＤ®のカラーラインアップを15色に拡充。

・世界で初めて、トレンチ構造採用のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴを開発・量産。

・ＲＡＳＭＩＤ®新ラインアップ、ＴＶＳダイオード（※２）「VS3V3BxxFSシリーズ」を開発。

※２．ＴＶＳ（Transient Voltage Suppressor：過渡電圧抑制）ダイオード

瞬間的に発生する電圧や電流から電子回路を保護するダイオードのこと。他の保護ダイオードよりも保護能力が高い。

(3)「モジュール」における製品開発

・業界最高の高画質と高速印字を実現する、新構造サーマルプリントヘッド技術を開発。

・世界で初めて、ローム製特定小電力無線通信モジュールがＷｉ－ＳＵＮ、ＨＡＮ（※３）の認証取得。

※３．ＨＡＮ(Home Area Network)

ＨＥＭＳコントローラとエアコン、照明などのＨＥＭＳ機器をつなぐネットワークのこと。

(4)将来に向けての研究開発

・世界で初めて、土壌環境のリアルタイムモニタリングが可能な土壌センサを開発。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。