JX金属 — 研究開発・設備投資
研究開発費・設備投資額および売上高比率の推移(連結)
研究開発費 推移
設備投資 推移
研究開発・設備投資サマリー
指標 FY25 FY26
売上高(百万円) 714,940884,638
研究開発費(百万円) 17,75719,983
売上高研究開発費比率 2.5%2.3%
設備投資額(百万円) 63,80977,904
売上高設備投資比率 8.9%8.8%
研究開発活動本文

 

6 【研究開発活動】

当社グループは、長期ビジョンとして掲げる『「装置産業型企業」から「技術立脚型企業」への転身』を実現するため、半導体材料/情報通信材料セグメントを成長戦略のコアと位置づけ、研究開発に注力しています。また、脱炭素や資源循環といった地球規模のESG課題解決に向けた製品・技術開発にも取り組んでいます。

新規事業創出においては、次世代半導体材料やフォトニクス材料を初めとする先端材料分野を中心に事業ポートフォリオの拡充を目指しています。特に、データセンターやAI搭載IoTデバイスに使用される高性能半導体の製造に必要な次世代半導体材料の開発に注力をしており、また、結晶材料では当社のコア技術である高純度化、組成制御、温度制御の技術を駆使し、データセンターの増加やモバイル通信量の増加、センシング技術の高度化等に対応するための高品質な結晶材料を供給すべく体制構築を図っています。特に次世代半導体製造プロセスでの採用拡大が期待されるCVD・ALD用材料については、生産能力の増強とともに新規生産プロセスの開発、新規材料開発の強化を行っています。

研究開発体制は、既存製品の改良や製造プロセスの改善など既存事業の強化を行う各事業部の開発部門と、新規事業の創出を推進する技術本部の開発部門から成り立っています。技術本部には全社的な技術戦略の企画・立案を所管する機能と、開発段階のテーマを事業化に向けて管理するインキュベーション機能、加えて当社グループのコーポレートラボの位置づけで、先端材料の開発、資源開発・製錬・リサイクルの次世代技術に関する研究開発機能を担っています。大学との共同研究などの産学連携やスタートアップ、ベンチャーキャピタルファンドへの出資など外部が保有する独自の技術と当社が保有するコア技術の融合により革新的イノベーションの創出、スピーディーな事業化へ向けた取り組みも進めています。

2026年2月にはRapidus株式会社が実施する最先端ロジック半導体量産に向けた大型資金調達に当社も参画し、同社へ出資することを発表いたしました。当社は、従来より、半導体用スパッタリングターゲットなどの各種半導体材料の供給を通じてRapidus社の取り組みを支援してきましたが、今般の出資を契機に、Rapidus社との連携をさらに深化させ、顧客・サプライヤーの枠を超えた協力体制のもと、半導体製造前工程・後工程や端材・廃液などのリサイクル分野における技術力の向上も追求してまいります。また、当社はRapidus社を中心とした新たな半導体エコシステムの形成期において、半導体関係各社との連携を強化し、今後の事業展開に資する新たな知見や機会の獲得を企図しています。技術革新や市場構造の変化を的確に捉えながら、共同開発、サプライチェーン連携、新規事業の芽となるパートナーシップ形成を積極的に推進し、こうした取り組みを通じて当社半導体ビジネスの更なる拡大と価値創出につながる技術・市場機会の開拓を進めてまいります。

 

当連結会計年度に発生した研究開発費は19,983百万円です。

報告セグメントごとの研究開発活動の状況は次のとおりです。

 

(1) 半導体材料セグメント

高純度化技術及び材料組成・結晶組織の制御技術をベースに、半導体・電子部品用途向け製品に関する開発を進めています。半導体用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット等の各種ターゲット材料や、化合物半導体・結晶材料、その他電子材料を中心とした新規製品開発及び関連プロセスの技術開発に継続的に取り組んでいます。

特に、生成AI用などに使用される先端半導体製造プロセスにて用いられるスパッタリングターゲットにおいては、更なる品質改善に向けた取り組みとともに、昨今注目を集める先端パッケージ分野等における新規ニーズに対応するスパッタリングターゲットの開発をすすめています。また、当社が有する要素技術と試作/評価設備を応用した周辺材料の開発を、お客様、外部企業、大学との社外連携も行いながら積極的に進めています。

AIデータセンター内の光通信デバイスに使われるInP(インジウムリン)基板については、大口径化の需要に対応する開発に注力しています。当セグメントに係る研究開発費は6,007百万円です。

 

(2) 情報通信材料セグメント

精密な組成制御を実現する溶解鋳造技術、独自の結晶制御を可能にする圧延加工技術、並びにユーザーニーズに適合した評価技術を用いて、強度・導電性・加工性・耐久性に優れた高機能伸銅品の開発を進めています。半導体リードフレームやカメラモジュール用スプリングの次世代材料として、チタン系及びコルソン系新規銅合金の開発に取り組んでいます。また、今後の需要増加が見込まれるロボットや5G・6Gといった高速移動通信に使われるプリント配線板材や電磁波シールド材向けに、屈曲性、高周波特性、微細回路形成性に優れる圧延銅箔の開発に取り組んでいます。マテリアルインフォマティクス(シミュレーション、データ解析等)の活用や外部研究機関との連携を通し、開発のスピードアップを推進しています。当セグメントに係る研究開発費は5,180百万円です。

 

(3) 基礎材料セグメント

長年の現場経験を通じて培った鉱床評価技術、低品位銅鉱石から効率的に銅を分離・回収する技術、低環境負荷技術等を活用し、現在は海外の銅鉱山やレアメタル鉱山への参画や国内の含金珪酸鉱鉱山の操業を行っています。

銅製錬事業においては、2040年にリサイクル原料処理比率を50%とするグリーンハイブリッド製錬構想を掲げており、リサイクル原料を効率的に処理するための前処理プロセスを含む新規の製錬技術について試験研究を進めています。また、貴金属及びレアメタル等の回収率アップとともに、不純物許容度の高い精製プロセスの実現に向け技術開発を進めています。当セグメントに係る研究開発費は1,213百万円です。

 

(4) 新規事業

次世代半導体に使用されるCVD・ALD用材料及び先端パッケージ材料、3Dプリンター用金属粉、銅微粉、リチウムイオンバッテリーのリサイクル及び電池材料の開発等について、事業部、関係会社等を跨ぎグループ横断で早期事業化に向けた取り組みを強化しています。

CVD・ALD用材料関連では、生成AIの進化によりデータセンターやAI搭載IoTデバイスの市場が拡大し、これらの機器に必要とされる高性能半導体には、高集積化を実現するために更なる微細化や多層化が求められています。当社は2024年2月に「CVD・ALD材料事業推進室」を新設し、同材料の早期事業化を目指してまいりました。これまで同組織のもとで、新規高純度CVD・ALD材料の量産ラインを構築し、顧客へのサンプル出荷を進め、良好な評価を獲得しています。本材料の本格採用により急速な需要拡大が見込まれることから、当社は本材料の生産能力の増強を決定しました。東邦チタニウム株式会社茅ケ崎工場で生産設備増強が完了、フル操業を開始しています。さらに茨城事業所日立地区においても量産ラインの立上げが完了し、顧客への出荷を開始しています。これにより、拡大する顧客需要に対応するとともに、高性能化が加速する半導体の進化を支えてまいります。

2025年10月1日付にて「先端材料事業本部」に「データインフラ材料事業推進部」を新設し、「技術本部技術戦略部」の「先端パッケージ材料事業推進室」を新組織への統合を行っています。足元、生成AIの急速な普及によって社会全体のデータ量が爆発的に増加し、それに伴い、データセンターやネットワーク機器など、データインフラを支える材料の重要性がかつてないほど高まっています。当社は2024年11月に技術本部技術戦略部内に「先端パッケージ材料事業推進室」を設置し、半導体先端パッケージ分野における製品ラインナップの拡充に取り組んできましたが、こうした外部環境の変化を踏まえ、本組織改正を行うことで、先端パッケージ材料のみならずデータインフラ用途を含む新規製品のマーケティングから量産体制構築及び事業化に向けた体制整備を進めています。新組織は、より全社的な視点で横断的なマーケティングを推進するとともに、事業本部における新規事業の受け皿としての役割を担い、事業本部全体を俯瞰しながら、新規製品の事業化に向けた最適な推進体制の検討と構築を行っています。

他方、スタートアップやベンチャーキャピタルファンドへの出資も積極的に行い、2022年9月には先端材料の分野において20年以上の投資実績のあるベンチャーキャピタルファンドPangaea Ventures Impact Fund、2023年6月には独自技術の中間膜を開発している東京大学発のベンチャー企業である株式会社Gaianixxへの出資、2025年10月にはレーザー方式による核融合発電の社会実装を目指す大阪大学発のスタートアップの株式会社EX-Fusionへの出資を決定しました。これら独自の技術を有するスタートアップと当社が保有するコア技術の融合により革新的イノベーションの創出、スピーディな事業化へ向けた取り組みを進めています。

また、2025年9月には株式会社レゾナックにより設立された次世代半導体パッケージのコンソーシアム「JOINT3」に参画することを発表しました。当社は、先端半導体の製造に用いられる半導体用スパッタリングターゲットをはじめ、AIデータセンター向け材料として需要が急増しているインジウムリン化合物半導体基板、チタン銅合金箔、高純度タンタル粉等、グローバル市場で高いシェアを誇る先端材料を多数保有しています。中でも半導体用スパッタリングターゲットは、前工程だけでなく、パッケージング工程の一部であるチップ間配線形成などでも需要拡大が期待されています。また、表面処理剤など、同分野への適用が期待される製品群を揃えており、今後JOINT3において世界トップクラスの各参画企業と連携し新規事業創出を推進してまいります。

さらに、分析、シミュレーション及びデータ解析技術、生産技術の向上を通して、技術開発の促進、効率化、生産プロセスの最適化を図っています。新規事業及びその他の事業における研究開発費は合計で7,583百万円です。

6 【研究開発活動】

当社グループは、長期ビジョンとして掲げる『「装置産業型企業」から「技術立脚型企業」への転身』を実現するため、半導体材料/情報通信材料セグメントを成長戦略のコアと位置づけ、研究開発に注力しています。また、脱炭素や資源循環といった地球規模のESG課題解決に向けた製品・技術開発にも取り組んでいます。

新規事業創出においては、次世代半導体材料やフォトニクス材料を初めとする先端素材分野を中心に事業ポートフォリオの拡充を目指しています。特に、データセンターやAI搭載IoTデバイスに使用される高性能半導体の製造に必要な次世代半導体材料の開発に注力をしており、結晶材料では当社のコア技術である高純度化、組成制御、温度制御の技術を駆使し、データセンターの増加やモバイル通信量の増加、センシング技術の高度化等に対応するための高品質な結晶材料を供給すべく体制構築を図っています。また、次世代半導体製造プロセスでの採用拡大が期待されるCVD・ALD用材料については、生産能力の増強とともに新規生産プロセスの開発、新規材料開発の強化を行っています。

研究開発体制は、既存製品の改良や製造プロセスの改善など既存事業の強化を行う各事業部の開発部門と、新規事業の創出を推進する技術本部の開発部門から成り立っています。技術本部には全社的な技術戦略の企画・立案を所管する機能と、開発段階のテーマを事業化に向けて管理するインキュベーション機能、加えて当社グループのコーポレートラボの位置づけで、先端素材の開発、資源開発・製錬・リサイクルの次世代技術に関する研究開発機能を担っています。

 

当連結会計年度に発生した研究開発費は17,757百万円です。

報告セグメントごとの研究開発活動の状況は次のとおりです。

 

(1) 半導体材料セグメント

高純度化技術及び材料組成・結晶組織の制御技術をベースに、半導体・電子部品用途向け製品に関する開発を進めています。半導体用スパッタリングターゲット、酸化物スパッタリングターゲット、窒化物スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット等の各種ターゲット材料や、化合物半導体用結晶材料、その他電子材料を中心とした新規製品開発及び関連プロセスの技術開発に継続的に取り組んでいます。

特に、生成AI用などに使用される先端半導体製造プロセスにて用いられるスパッタリングターゲットにおいては、更なる低パーティクル化の取り組みとともに、電気抵抗や拡散バリア性の面で新たな合金開発を進めています。また、これらの半導体を格納するパッケージにおいては、インターポーザなどの導通部分が増えるため、電気特性を損なわないよう、半導体めっき液に使われる金属原料についても、高純度化や誤作動の要因となるα線の削減に取り組んでいます。当セグメントに係る研究開発費は5,738百万円です。

 

(2) 情報通信材料セグメント

精密な組成制御を実現する溶解鋳造技術、独自の結晶制御を可能にする圧延加工技術、並びにユーザーニーズに適合した評価技術を用いて、強度・導電性・加工性・耐久性に優れた高機能伸銅品の開発を進めています。半導体リードフレームやカメラモジュール用スプリングの次世代材料として、チタン系及びコルソン系新規銅合金の開発に取り組んでいます。また、今後の需要増加が見込まれるロボットや5G・6Gといった高速移動通信に使われるプリント配線板材や電磁波シールド材向けに、屈曲性、高周波特性、微細回路形成性に優れる圧延銅箔の開発に取り組んでいます。マテリアルインフォマティクス(シミュレーション、データ解析等)の活用や外部研究機関との連携を通し、開発のスピードアップを推進しています。当セグメントに係る研究開発費は4,184百万円です。

 

(3) 基礎材料セグメント

サステナブルな資源開発に向け、環境負荷低減を目的とした鉱山操業におけるCO2排出量削減の技術調査・開発を進めています。また、今後先端素材分野での需要拡大が期待されるレアメタルのサプライチェーン確保・責任ある原料調達への貢献のため、鉱石からの回収技術の評価・開発を進めています。

銅製錬事業においては、2040年にリサイクル原料処理比率を50%とするグリーンハイブリッド製錬構想を掲げており、リサイクル原料を効率的に処理するための前処理プロセスを含む新規の製錬技術について試験研究を進めています。また、貴金属及びレアメタル等の回収率アップとともに、不純物許容度の高い精製プロセスの実現に向け技術開発を進めています。当セグメントに係る研究開発費は1,312百万円です。

 

(4) 新規事業

次世代半導体に使用されるCVD・ALD用材料及び先端パッケージ材料、3Dプリンター用金属粉、銅微粉、リチウムイオンバッテリーのリサイクル及び電池材料の開発等について、事業部、関係会社等を跨ぎグループ横断で早期事業化に向けた取り組みを強化しています。

CVD・ALD用材料関連では、生成AIの進化によりデータセンターやAI搭載IoTデバイスの市場が拡大し、これらの機器に必要とされる高性能半導体には、高集積化を実現するために更なる微細化や多層化が求められています。当社は2024年2月に「CVD・ALD材料事業推進室」を新設し、同材料の早期事業化を目指してまいりました。これまで同組織のもとで、新規高純度CVD・ALD材料の量産ラインを構築し、顧客へのサンプル出荷を進め、良好な評価を獲得しています。本材料の本格採用により急速な需要拡大が見込まれることから、当社は本材料の生産能力の増強を決定しました。東邦チタニウム株式会社茅ケ崎工場で24年度下期に増強を実施した上で、更に茨城事業所日立地区で25年度上期を目途に生産設備を導入し稼働を開始する計画です。あわせて当事業の今後の展開に向け、新規プロセス開発や新規材料開発に向けた設備強化を行います。これにより、拡大する顧客需要に対応するとともに、高性能化が加速する半導体の進化を支えてまいります。

また、半導体製造の先端パッケージング分野における新規事業の育成推進のため、2024年11月1日付で、「技術本部技術戦略部」内に「先端パッケージ材料事業推進室」を設置しました。当社の主力製品である半導体用スパッタリングターゲットが使用される前工程のみならず、複数のチップを1つの基板上に高密度で実装するチップレットなど、後工程においてもさまざまな新手法が開発されており、こうした手法の高度化に向け、より高機能な材料が求められています。今般設立した新組織においては、当社グループの先端パッケージ材料関連のマーケティング及び開発に関する機能を一元化することにより、よりスピード感を持って、市場の要求に対応をしていきます。また、外部機関との連携も活用しながら、材料の新規開発や実用化に向けた取り組みを推進していきます。当社グループは、こうした活動を通じて、半導体材料分野における製品ラインナップの拡充も目指していきます。

他方、スタートアップやベンチャーキャピタルファンドへの出資も積極的に行い、2022年9月には先端素材の分野において20年以上の投資実績のあるベンチャーキャピタルファンドPangaea Ventures Impact Fund、2023年6月には独自技術の中間膜を開発している東京大学発のベンチャー企業である株式会社Gaianixxなどへの出資を行っています。これら独自の技術を有するスタートアップと当社が保有するコア技術の融合により革新的イノベーションの創出、スピーディな事業化へ向けた取り組みを進めています。

さらに、分析、シミュレーション及びデータ解析技術、生産技術の向上を通して、技術開発の促進、効率化、生産プロセスの最適化を図っています。新規事業及びその他の事業における研究開発費は合計で6,523百万円です。

 

設備投資等の概要・設備状況本文

 

3 【設備の新設、除却等の計画】

当社グループの主要な設備計画は以下のとおりです。

(1) 重要な設備の新設等

会社名

事業所名

(所在地)

 

セグメントの名称

設備の内容

投資予定金額

資金調達方法

着手及び

完了予定

完成後の

増加能力

総額

(百万円)

既支払額

(百万円)

着手

完了

JX金属㈱

ひたちなか地区(茨城県ひたちなか市)

半導体材料

半導体材料製造設備

25,700

9,346

自己資金及び借入金

2024年10月

2026年3月

(注)

JX金属㈱

ひたちなか地区

(茨城県ひたちなか市)

半導体材料

半導体材料製造設備

23,110

-

〃

2026年10月

2028年9月

(注)

JX金属㈱

磯原地区

(茨城県北茨城市)

半導体材料

インジウムリン基板製造設備

1,500

23

〃

2025年7月

2027年1月

(注)

JX金属㈱

磯原地区

(茨城県北茨城市)

半導体材料

インジウムリン基板製造設備

3,898

6

〃

2025年10月

2027年8月

(注)

JX金属㈱

磯原地区

(茨城県北茨城市)

半導体材料

インジウムリン基板製造設備

1,918

-

〃

2025年12月

2028年1月

(注)

JX金属㈱

磯原地区

(茨城県北茨城市)

半導体材料

インジウムリン基板製造設備

18,010

-

〃

2026年4月

2030年8月

(注)

東邦チタニウム㈱

若松工場

(福岡県北九州市)

情報通信材料

ニッケル粉製造設備

10,649

9,725

〃

2023年9月

2026年9月

(注)

JX金属㈱

日立地区

(茨城県日立市)、

ひたちなか地区

(茨城県ひたちなか市)

その他共通

新規製品製造設備

13,224

2,546

〃

2024年7月

2030年3月

(注)

JX金属㈱

ひたちなか工場

(茨城県ひたちなか市)

その他共通

工場新設に伴う共有ユーティリティ

47,240

13,711

〃

2022年3月

2029年4月

(注)

 

(注) 販売・生産品目が多種多様にわたっており、製造品毎の生産能力を一様に評価したうえで増加能力を計数的に把握することは困難である等の理由により、記載しておりません。

 

(2) 重要な設備の除却等

重要な設備の除却・売却の予定はありません。

 

1 【設備投資等の概要】

当社グループにおける当連結会計年度については、生産設備の増強、維持保全などを目的とした設備投資を継続的に実施しています。なお、有形固定資産のほか、無形資産への投資を含めて記載しています。

 

当連結会計年度の設備投資等の総額は77,904百万円であり、セグメントごとの設備投資内訳は次のとおりです。

 

 

当連結会計年度

(百万円)

半導体材料セグメント

24,313

情報通信材料セグメント

27,920

基礎材料セグメント

17,002

計

69,235

その他共通

8,669

合計

77,904

 

 

 

 

半導体材料セグメントでは、薄膜材料・半導体用ターゲット関連製品の生産能力増強を目的として、磯原地区の生産設備増設や、メサ工場の生産設備導入、ひたちなか地区の建屋建設及び生産設備導入等を行いました。

情報通信材料セグメントでは、圧延銅箔に係る日立地区の生産設備導入、倉見工場における維持保全投資等を行いました。

基礎材料セグメントでは、JX金属製錬㈱佐賀関製錬所における維持保全投資等を行いました。

その他共通では、ひたちなか地区のインフラ整備、新規事業の研究開発、維持保全投資等を行いました。

 

当連結会計年度において、事業活動に影響を与えるような重要な設備の除却・売却はありません。

 

 

2 【主要な設備の状況】

当社グループにおける主要な設備は、次のとおりです。

(1) 提出会社

 

 

 

 

 

 

2026年3月31日現在

事業所名
(所在地)

セグメントの名称

設備の内容

帳簿価額(百万円)

従業員数
(名)

建物
及び構築物

機械装置
及び運搬具

土地
(面積千㎡)

その他

合計

磯原地区

(茨城県北茨城市)

半導体材料

薄膜材料事業設備

15,377

12,459

5,259
(286)

759

33,854

1,191

日立北工場

(茨城県日立市)

半導体材料

薄膜材料事業設備

5,119

3,496

316
(23)

83

9,013

-

日立地区

(茨城県日立市)

半導体材料

情報通信材料

基礎材料

その他共通

薄膜材料事業、機能材料事業、及び金属・リサイクル事業設備

18,928

19,230

5,042
(6,383)
[150]

2,071

45,271

370

ひたちなか地区
 (茨城県ひたちなか市)

半導体材料
基礎材料
その他共通

金属・リサイクル事業、及び薄膜材料事業設備等

17,676

3,694

9,675
(230)

774

31,819

-

倉見工場(神奈川県高座郡寒川町)

情報通信材料

機能材料事業設備

7,703

13,583

3,863
(196)

1,123

26,273

569

 

(注) 1.現在休止中の主要な設備はありません。

2.帳簿価額のうち「その他」は、その他の有形固定資産及び一部の無形資産の合計です。金額には使用権資産及び消費税は含めていません。また、連結会社以外から貸借している土地の面積は、[ ]で外書しています。

3.日立北工場、及びひたちなか地区は本格稼働前のため、従業員数は未記載としています。

4.茨城事業所の設備・人員は磯原地区、日立地区、及びひたちなか地区の内数として含めています。

 

(2) 国内子会社

 

 

 

 

 

 

 

2026年3月31日現在

会社名

事業所名
(所在地)

セグメントの名称

設備の内容

帳簿価額(百万円)

従業員数
(名)

建物
及び
構築物

機械装置
及び
運搬具

土地
(面積千㎡)

その他

合計

JX金属製錬㈱

佐賀関製錬所

(大分県大分市)

基礎材料

金属・リサイクル事業設備

18,869

16,729

3,668
(2,068)
[1,102]

3,635

42,901

522

東邦チタニウム㈱

茅ケ崎工場

(神奈川県茅ケ崎市)

情報通信材料

機能材料事業設備

9,368

8,417

1,186
(161)

6,421

25,392

775

若松工場

(福岡県北九州市)

情報通信材料

機能材料事業設備

13,080

6,556

601
(9)
[200]

12,323

32,560

305

 

(注) 1.現在休止中の主要な設備はありません。

2.帳簿価額のうち「その他」は、その他の有形固定資産及び一部の無形資産の合計です。金額には使用権資産及び消費税は含めていません。また、連結会社以外から貸借している土地の面積は、[ ]で外書しています。

 

(3) 在外子会社

 

 

 

 

 

 

 

2026年3月31日現在

会社名

事業所名
(所在地)

セグメントの名称

設備の内容

帳簿価額(百万円)

従業員数
(名)

建物
及び
構築物

機械装置
及び
運搬具

土地
(面積千㎡)

その他

合計

JX Advanced Metals USA,Inc.

メサ工場
(アメリカアリゾナ州)

半導体材料

薄膜材料事業設備

24,141

2,781

4,558
  (258)

1,277

32,757

127

台湾日鉱金属股份有限公司

龍潭工場

(台湾桃園市)

半導体材料

薄膜材料事業設備

4,273

2,331

0
[20]

1,653

8,257

215

 

(注) 1.現在休止中の主要な設備はありません。

2.帳簿価額のうち「その他」は、その他の有形固定資産及び一部の無形資産の合計です。金額には使用権資産及び消費税は含めていません。また、連結会社以外から貸借している土地の面積は、[ ]で外書しています。

 

 

3 【設備の新設、除却等の計画】

当社グループの主要な設備計画は以下のとおりです。

(1) 重要な設備の新設等

会社名

事業所名

(所在地)

 

セグメントの名称

設備の内容

投資予定金額

資金調達方法

着手及び完了予定

完成後の

増加能力

総額

(百万円)

既支払額

(百万円)

着手

完了

JX金属㈱

ひたちなか工場

(茨城県ひたちなか市)

半導体材料

半導体材料製造設備

25,700

5,606

自己資金及び借入金

2024年10月

2026年2月

(注)

JX Advanced Metals USA,Inc.

メサ工場

(アメリカアリゾナ州)

半導体材料

半導体材料製造設備

41,779

28,164

〃

2022年10月

2024年11月

(注)

東邦チタニウム㈱

若松工場

(福岡県北九州市)

情報通信材料

ニッケル粉製造設備

10,649

5,330

〃

2023年9月

2025年9月

(注)

JX金属㈱

日立事業所

(茨城県日立市)、

ひたちなか工場

(茨城県ひたちなか市)

その他共通

新規製品製造設備

13,224

499

〃

2024年7月

2030年3月

(注)

JX金属㈱

ひたちなか工場

(茨城県ひたちなか市)

その他共通

工場新設に伴う共有ユーティリティ

47,240

11,299

〃

2022年3月

2029年4月

(注)

 

(注) 販売・生産品目が多種多様にわたっており、製造品毎の生産能力を一様に評価したうえで増加能力を計数的に把握することは困難である等の理由により、記載しておりません。

 

(2) 重要な設備の除却等

重要な設備の除却・売却の予定はありません。

 

1 【設備投資等の概要】

当社グループにおける当連結会計年度については、生産設備の増強、維持保全などを目的とした設備投資を継続的に実施しています。なお、有形固定資産のほか、無形固定資産への投資を含めて記載しています。

 

当連結会計年度の設備投資等の総額は63,809百万円であり、セグメントごとの設備投資内訳は次のとおりです。

 

 

当連結会計年度

(百万円)

半導体材料セグメント

23,077

情報通信材料セグメント

25,575

基礎材料セグメント

5,084

計

53,736

その他共通

10,073

合計

63,809

 

 

 

 

半導体材料セグメントでは、薄膜材料・半導体用ターゲット関連製品の生産能力増強を目的として、磯原工場の生産設備増設や、メサ工場の建屋建設及び設備導入、日立北工場の建屋建設等を行いました。

情報通信材料セグメントでは、圧延銅箔の生産能力増強を目的として、日立事業所の圧延銅箔生産ラインの増設や、倉見工場での表面処理ラインの導入、設備の維持保全投資等を行いました。

基礎材料セグメントでは、JX金属製錬㈱佐賀関製錬所における維持保全投資等を行いました。

その他共通では、ひたちなか工場のインフラ整備、新規事業の研究開発、維持保全投資等を行いました。

 

当連結会計年度において、事業活動に影響を与えるような重要な設備の除却・売却はありません。

 

 

2 【主要な設備の状況】

当社グループにおける主要な設備は、次のとおりです。

(1) 提出会社

 

 

 

 

 

 

2025年3月31日現在

事業所名
(所在地)

セグメントの名称

設備の内容

帳簿価額(百万円)

従業員数
(名)

建物
及び構築物

機械装置
及び運搬具

土地
(面積千㎡)

その他

合計

磯原工場

(茨城県北茨城市)

半導体材料

薄膜材料事業設備

15,416

13,387

 

5,259
(286)

 

686

34,748

1,190

日立北工場

(茨城県日立市)

半導体材料

薄膜材料事業設備

5,282

266

 

316
(23)

 

82

5,946

-

日立事業所

(茨城県日立市)

半導体材料

情報通信材料

基礎材料

その他共通

薄膜材料事業、機能材料事業及び金属・リサイクル事業設備

17,019

9,417

 

5,058
(6,387)
[150]

 

733

32,228

398

倉見工場(神奈川県高座郡寒川町)

情報通信材料

機能材料事業設備

7,835

12,707

 

3,863
(196)

 

1,032

25,438

577

 

(注) 1.現在休止中の主要な設備はありません。

2.帳簿価額のうち「その他」は、その他の有形固定資産及び一部の無形固定資産の合計です。金額には使用権資産及び消費税は含めていません。また、連結会社以外から貸借している土地の面積は、[ ]で外書しています。

3.日立北工場は本格稼働前のため、従業員数は未記載としています。

 

(2) 国内子会社

 

 

 

 

 

 

 

2025年3月31日現在

会社名

事業所名
(所在地)

セグメントの名称

設備の内容

帳簿価額(百万円)

従業員数
(名)

建物
及び
構築物

機械装置
及び
運搬具

土地
(面積千㎡)

その他

合計

JX金属製錬㈱

佐賀関製錬所

(大分県大分市)

基礎材料

金属・リサイクル事業設備

17,770

17,123

3,668
(2,068)
[1,102]

1,932

40,493

512

東邦チタニウム㈱

茅ケ崎工場

(神奈川県茅ケ崎市)

情報通信材料

機能材料事業設備

6,925

9,092

1,660
(165)

4,965

22,642

752

若松工場

(福岡県北九州市)

 

情報通信材料

機能材料事業設備

10,079

6,543

600
(8,778)
[196]

10,007

27,231

303

 

(注) 1.現在休止中の主要な設備はありません。

2.帳簿価額のうち「その他」は、その他の有形固定資産及び一部の無形固定資産の合計です。金額には使用権資産及び消費税は含めていません。また、連結会社以外から貸借している土地の面積は、[ ]で外書しています。

 

(3) 在外子会社

 

 

 

 

 

 

 

2025年3月31日現在

会社名

事業所名
(所在地)

セグメントの名称

設備の内容

帳簿価額(百万円)

従業員数
(名)

建物
及び
構築物

機械装置
及び
運搬具

土地
(面積千㎡)

その他

合計

JX Advanced Metals USA,Inc.

メサ工場
(アメリカアリゾナ州)

半導体材料

薄膜材料事業設備

19,140

535

4,610
(258)

7,396

27,071

125

台湾日鉱金属股份有限公司

龍潭工場

(台湾桃園市)

半導体材料

薄膜材料事業設備

5,028

1,903

118
[20]

1,373

8,422

228

 

(注) 1.現在休止中の主要な設備はありません。

2.帳簿価額のうち「その他」は、その他の有形固定資産及び一部の無形固定資産の合計です。金額には使用権資産及び消費税は含めていません。また、連結会社以外から貸借している土地の面積は、[ ]で外書しています。

 

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