６【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術の探索や環境対応技術の取り組みを行っております。また、国内外の開発・技術拠点との連携も一層深めております。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,559百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術や次世代通信、カーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しております。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスを中心として顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続するとともに、ファインパターン、高周波デバイスへ対応できる独自性のある新たなめっき浴やプロセス開発を行っております。半導体向けめっきプロセスは、主にパワーデバイスやロジックデバイス向けに無電解めっき浴の開発を行い、特にＡｇ（銀）焼結材料向けの各種銀めっきプロセスの提案を行っております。

ロ. 無電解銅めっき関連

次世代通信向け基板、ガラスコア基板、フレキシブル基板等に対応するため、さらなる細線化や平滑な表面材料に配線形成が可能な前処理プロセスや無電解銅めっき浴の開発を行っております。

ハ.電気めっき関連

プリント基板や半導体の微細配線や３Ｄ実装に適応できる技術として、スルーホールフィリング、ビアフィリング、再配線やポスト用の電解銅めっき浴並びに、半導体の３Ｄ実装に適したバンプめっきプロセスや、電子部品の電解めっき浴の開発を行っております。

②　汎用無電解ニッケル・一般装飾めっき関連

　カーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルや機械要素部品へのめっきプロセス並びにアルミニウム基板のハードディスク用めっき液の開発を行っております。また、装飾品や機能部品等、ニッケルめっき以外にも幅広く製品開発を行っております。

③　ＳＤＧｓ（持続可能な開発目標）を見据えた環境・資源問題への配慮

有害重金属フリーの無電解ニッケル浴、ＰＦＡＳフリーのＰＴＦＥ複合めっき浴、シアンフリーの貴金属めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等、ＳＤＧｓを見据えた環境・資源問題に配慮した製品開発に注力しており、エコフレンドリーな製品の品揃えに努めるとともに、硫酸銅めっきリサイクルシステムなど、めっき廃液処理の提案も行っております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園市、マレーシアジョホール州、中国深圳市、タイ　パトウムタニ県等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、国家プロジェクトへの参画による将来技術の探索を行っております。また、国内外での学会発表も行い、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度において当社が保有及び出願中の特許は650件(国内164件、海外486件)、実用新案は１件(国内０件、海外１件)で、申請中の商標は394件(国内101件、海外293件)です。当社は知的財産権の取得も開発戦略に含めており、特許・商標の海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,369百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ-ＶＣＰおよびＵ-ＶＣＰＳ)の開発を継続し、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置についても、半導体向けだけでなくプリント基板用等、幅広い浴に対応した管理装置を開発・提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は190百万円であります。

　今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた最先端重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

６【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術の探索や環境対応技術の取り組みを行っております。また、国内外の開発・技術拠点との連携も一層深めております。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,315百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術や次世代通信、カーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しております。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスを中心として顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続するとともに、ファインパターン、高周波デバイスへ対応できる独自性のある新たなめっき浴やプロセス開発を行っております。半導体向けめっきプロセスは、主にパワーデバイスやロジックデバイス向けに無電解めっき浴の開発を行い、特にAg（銀）焼結材料向けの各種銀めっきプロセスの提案を行っております。

ロ. 無電解銅めっき関連

次世代通信向け基板、ガラスコア基板、フレキシブル基板等に対応するため、さらなる細線化や平滑な表面材料に配線形成が可能な前処理プロセスや無電解銅めっき浴の開発を行っております。

ハ.電気めっき関連

プリント基板や半導体の微細配線や３Ｄ実装に適応できる技術として、スルーホールフィリング、ビアフィリング、再配線やポスト用の電解銅めっき浴並びに、半導体の３Ｄ実装に適したバンプめっきプロセスや、電子部品の電解めっき浴の開発を行っております。

②　汎用無電解ニッケル・一般装飾めっき関連

　カーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルや機械要素部品へのめっきプロセス並びにアルミニウム基板のハードディスク用めっき液の開発を行っております。また、装飾品や機能部品等、ニッケルめっき以外にも幅広く製品開発を行っております。

③　ＳＤＧｓ（持続可能な開発目標）を見据えた環境・資源問題への配慮

有害重金属フリーの無電解ニッケル浴、ＰＦＡＳフリーのＰＴＦＥ複合めっき浴、シアンフリーの貴金属めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等、ＳＤＧｓを見据えた環境・資源問題に配慮した製品開発に注力しており、エコフレンドリーな製品の品揃えに努めるとともに、硫酸銅めっきリサイクルシステムなど、めっき廃液処理の提案も行っております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園市、マレーシアジョホール州、中国深圳市、タイ　パトウムタニ県等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、国家プロジェクトへの参画による将来技術の探索を行っております。また、国内外での学会発表も行い、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度において当社が保有及び出願中の特許は653件(国内172件、海外481件)、実用新案は１件(国内０件、海外１件)で、申請中の商標は381件(国内98件、海外283件)です。当社は知的財産権の取得も開発戦略に含めており、特許・商標の海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,125百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ-ＶＣＰおよびＵ-ＶＣＰＳ)の開発を継続し、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置についても、半導体向けだけでなくプリント基板用等、幅広い浴に対応した管理装置を開発・提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は189百万円であります。

　今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた最先端重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

６【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術の探索や環境対応技術の取り組みを行っております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めております。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,320百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術や次世代通信、カーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しております。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスを中心として顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続するとともに、ファインパターン基板、高周波デバイス向け基板等へ対応できる独自性のある新たなめっき浴やプロセス開発を行っております。半導体向けめっきプロセスについては、主にパワーデバイスやロジックデバイス向けに、主に無電解めっき浴の開発を行っております。

ロ. 無電解銅めっき関連

次世代通信向け基板、フレキシブル基板、部品内蔵基板等に対応するため、さらなる細線化や平滑な表面材料に配線形成が可能な前処理プロセスや無電解銅めっき浴の開発を行っております。

ハ.電気めっき関連

プリント基板や半導体の微細配線や３Ｄ実装に適応できる技術として、スルーホールフィリング、ビアフィリング、再配線やポスト用の電解銅めっき浴並びに、半導体の３Ｄ実装に適したバンプめっきプロセスや、電子部品の電解めっき浴の開発を行っております。

②　汎用無電解ニッケル・一般装飾めっき関連

　カーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルや機械要素部品へのめっきプロセス並びにアルミニウム基板のハードディスク用めっき液の開発を行っております。また、装飾品や機能部品等、ニッケルめっき以外にも幅広く製品開発を行っております。

③　ＳＤＧｓ（持続可能な開発目標）を見据えた環境・資源問題への配慮

有害重金属フリーの無電解ニッケル浴、ＰＦＯＡフリーのＰＴＦＥ複合めっき浴、シアンフリーの無電解金めっき浴、シアンフリーの電解金及び電解銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等、ＳＤＧｓを見据えた環境・資源問題に配慮した製品開発に注力しており、エコフレンドリーな製品の品揃えに努めるとともに、めっき廃液の処理システムの検討も行っております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園市、マレーシアジョホール州、中国深圳市、タイ　パトウムタニ県等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、国家プロジェクトへの参画による将来技術の探索を行っております。また、国内外での学会発表も行い、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度において当社が保有及び出願中の特許は633件(国内173件、海外460件)、実用新案は１件(国内１件、海外０件)で、申請中の商標は349件(国内94件、海外255件)です。当社は知的財産権の取得も開発戦略に含めており、特許・商標の海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,175百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ-ＶＣＰおよびＵ-ＶＣＰＳ)の開発を継続し、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置についても、半導体向けだけでなくプリント基板用等、幅広い浴に対応した管理装置を開発・提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は145百万円であります。

　今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

５【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術の探索や環境対応技術への取り組みを行っております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,280百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術や次世代通信、カーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しております。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスを中心として顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続するとともに、ファインパターン基板、高周波デバイス向け基板等へ対応できる独自性のある新たなめっき浴やプロセス開発を行っております。半導体向けめっきプロセスについては、主にパワーデバイスやロジックデバイス向けに、主に無電解めっき浴の開発を行っております。

ロ. 銅めっき関連

次世代通信向け基板、フレキシブル基板、部品内蔵基板等に対応するため、さらなる細線化や新しい基板材料への配線形成が可能な前処理プロセスや無電解銅めっき浴の開発を行っております。また、電解銅めっきにおいてもプリント基板や半導体の微細配線や３Ｄ実装に適応できる技術として、スルーホールフィリング、ビアフィリング、再配線やポスト用のめっき浴の開発を行っております。

②　汎用無電解ニッケル並びに電子部品への電気めっき製品の強化

　カーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルや機械要素部品へのめっきプロセス並びにアルミニウム基板のハードディスク用めっき液の開発を行っております。また、半導体の３Ｄ実装用途の電解錫バンプめっきや、電子部品の電解めっき浴の開発を行っております。さらに、装飾品用等、幅広い製品の開発も行っております。

③　ＳＤＧｓ（持続可能な開発目標）を見据えた環境・資源問題への配慮

有害重金属フリーの無電解ニッケル浴、ＰＦＯＡフリーのＰＴＦＥ複合めっき浴、シアンフリーの無電解金めっき浴、シアンフリーの電解金及び電解銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等、ＳＤＧｓを見据えた環境・資源問題に配慮した製品開発に注力しており、エコフレンドリーな製品の品揃えに努めるとともに、めっき廃液の処理システムの開発も行っております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、国家プロジェクトへの参画による将来技術の探索を行っております。また、国内外での学会発表も行い、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有及び出願中の特許は627件(国内176件、海外451件)、実用新案は１件(国内０件、海外１件)で、申請中の商標は352件(国内90件、海外262件)です。当社は知的財産権の取得も開発戦略に含めており、特許・商標の海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,213百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ-ＶＣＰ及びＵ-ＶＣＰＳ)の開発を継続し、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置についても、半導体向けだけでなくプリント基板用等、幅広い浴に対応した管理装置を開発・提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は67百万円であります。

今後も投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

５【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術の探索や環境対応技術への取り組みを行っております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,116百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術や次世代通信に対応したプロセスやカーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しています。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスにおいて、顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続するとともに、ファインパターン基板、高周波デバイス向け基板等へ対応できる独自性のあるプロセス開発を行っております。また、半導体へのめっきプロセスについては、主にパワーデバイスやロジックデバイス向けに、前処理や無電解めっき浴の開発を行っております。

ロ. 銅めっき関連

プリント基板のさらなる細線化や各種樹脂上への配線形成や次世代通信向け基板に対応するため、ＳＡＰ、ＭＳＡＰやロープロファイル基材に対して当社独自の前処理プロセスや無電解銅めっきの開発を行っております。また、電解銅めっきは、基板や半導体用途のスルーホールフィリング、ビアフィリング、再配線やポスト用のめっき浴の開発を行っております。

②　汎用無電解ニッケル並びに電子部品への電気めっき製品の強化

　カーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルや機械要素部品へのめっきプロセス並びにアルミニウム基板のハードディスク用めっき液の開発を行っております。また、当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用めっき浴や半導体、電子部品の電気めっきの開発を行っております。さらに、装飾品用等、幅広い製品の開発を行っております。

③　ＳＤＧｓ（持続可能な開発目標）を見据えた環境・資源問題への配慮

有害重金属フリーの無電解ニッケル浴、ＰＦＯＡフリーのＰＴＦＥ複合めっき浴、シアンフリーの無電解金めっき浴、シアンフリーの電解金および電解銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等、ＳＤＧｓを見据えた環境・資源問題に配慮した製品開発に注力しており、エコフレンドリーな製品の品揃えに努めております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、将来技術の探索を行っております。また、国内外での学会発表も行い、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有及び出願中の特許は609件(国内171件、海外438件)、実用新案は１件(国内０件、海外１件)です。保有する商標は332件(国内89件、海外243件)です。当社は知的財産権の取得も開発戦略に含めており、特許・商標の海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,012百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ-ＶＣＰ及びＵ-ＶＣＰＳ)の開発を継続し、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置についても、半導体向けだけでなくプリント基板用等、幅広い浴に対応した管理装置を開発・提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は103百万円であります。

今後も投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

５【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術の探索や環境対応技術への取り組みを行っております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,274百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しています。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスにおいて、顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続するとともに、ファインパターン基板、高周波デバイス向け基板等へ対応した独自技術のあるプロセス開発を行っており、新たに３製品を上市いたしました。また、半導体へのめっきプロセスについては、主にパワーデバイスやロジックデバイス向けに無電解ニッケルやパラジウム浴等の開発を行っております。

ロ. 銅めっき関連

さらなる細線化や各種樹脂上への配線形成に対応するために、ＭＳＡＰやロープロファイル基材向けに当社独自の前処理プロセスや無電解銅めっきの開発を行っており、ＳＡＰ用前処理液１製品を新たに上市いたしました。また、電解銅めっき関係では、基板用のビアフィリング浴並びにＲＤＬ用のめっき浴の開発を継続しております。引き続き、新規樹脂上への無電解銅めっきプロセスやパッケージ基板へのポストめっき用高速電解銅めっき浴並びにウェハーの再配線用途のめっき浴の開発も進めています。

②　汎用無電解ニッケル並びに電子部品への電気めっき製品の強化

　カーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルや機械要素部品へのめっきプロセス並びにＨＤ用めっき液の開発を行なっており、新たに１製品を上市いたしました。また、当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用めっき浴や半導体、電子部品の電気めっきの開発を行い、新たに２製品を上市いたしました。さらに、装飾品用等、幅広い製品の開発を行っております。

③　環境・資源問題への配慮

有害重金属フリーの無電解ニッケル浴、ＰＦＯＡフリーのＰＴＦＥ複合めっき浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴、ノーシアンの金および銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等、エコフレンドリーな製品の品揃えにも努めております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、将来技術の探索を行っております。また、国内外での学会発表も行い、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有及び出願中の特許は573件(国内172件、海外401件)、実用新案は２件(国内１件、海外１件)です。保有する商標は324件(国内88件、海外236件)です。当社は知的財産権の取得も開発戦略に含めており、特許・商標の海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,116百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ－ＶＣＰ及びＵ－ＶＣＰＳ)の開発を継続し、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。また、半導体向けのめっき装置の開発も行っております。浴管理装置についても、幅広い浴に対応した管理装置を提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は158百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

５【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は2,209百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した製品開発に注力しています。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスにおいて、顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続しており、１製品を上市いたしました。ファインパターン基板、高周波デバイス向け基板等に対応した独自技術のあるプロセス開発を行いました。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、主にパワーデバイス関連及びロジックデバイス向けの薬品開発を行っております。

ロ. 銅めっき関連

さらなる細線化や各種樹脂上への配線形成に対応するために、ＭＳＡＰやロープロファイル向けに当社独自の前処理プロセスや無電解銅めっきの開発を行っております。また、電解銅めっき関係では、基板用のビアフィリング浴並びにＲＤＬ用のめっき浴の開発を継続しております。引き続き、新規樹脂上への無電解銅めっきプロセスやパッケージ基板へのポストめっき用高速電解銅めっき浴並びにウェハーの再配線浴の開発も進めています。

②　汎用無電解ニッケル並びに電子部品への電気めっき製品の強化

　次世代パワーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルプロセスや車載用機械要素部品へのめっき浴並びにＨＤ用めっき液の開発を行い、顧客要求に適合させた２製品を上市いたしました。また、当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用めっき浴や半導体、電子部品、装飾品用の電気めっき等、幅広い製品の開発を行っております。

③　環境・資源問題への配慮

重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴や銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴、ＰＦＯＳ/ＰＦＯＡフリーの複合めっき浴等の開発を行い、エコフレンドリーな製品の品揃えにも努めております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、各地域に適合した製品開発を行っております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学や公的研究機関並びに大手民間企業との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は522件(国内176件、海外346件、出願中含む)、実用新案は３件(国内３件)です。保有する商標は323件(国内87件、海外236件、出願中含む)です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は2,052百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ－ＶＣＰ及びＵ－ＶＣＰＳ)の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。また、半導体やＦＯＷＬＰへのめっき装置やウェハーＵＢＭめっき装置の開発も行っております。浴管理装置については、金属イオン分析システムを組み合わせたシステムを開発し、幅広い浴に対応した管理装置を提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は157百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

５【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は20億92百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した薬液開発に注力しています。

イ. 最終表面処理関連

当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスにおいて、顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続しております。一方でファインパターン基板や、高周波デバイス向け基板、フレキシブル基板に対応したニッケルフリープロセス薬品の開発にも取り組んでおります。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、主にパワーデバイス関連及びロジックデバイス向けの薬品開発を行い、ロジックデバイス向けの無電解ニッケル１製品を上市いたしました。

ロ. 銅めっき関連

さらなる細線化や各種樹脂に対応するために、ＭＳＡＰやロープロファイル向けに当社独自の前処理プロセスや無電解銅めっきの開発並びに、これらのめっき技術を応用してパネルレベルパッケージ向けへのめっき液の開発も行っており、樹脂上への前処理プロセスの３製品を上市いたしました。また、電解銅めっき関係では、基板用のビアフィリング浴並びにＲＤＬ用のめっき浴の開発を行い、２製品を上市いたしました。

引き続き、新規樹脂上への無電解銅めっきプロセスやパッケージ基板へのポストめっき用高速電解銅めっき浴並びにウェハーの再配線浴の開発も進めています。

②　電子部品並びに汎用無電解めっきの強化

　当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用の中性のニッケル、錫めっき浴や基板用途の電気錫めっき等の開発を行っております。また、次世代パワーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルプロセスや車載用機械要素部品へのめっき浴の開発並びにＨＤ用めっき液の開発を行い、合わせて２製品を上市いたしました。

③　環境・資源問題への配慮

重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴や銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等の開発、ＲｏＨＳ指令への対応としてウィスカ制御可能な電気錫めっき浴等の品揃えにも努めております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、海外開発品の日本市場への展開も行われております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学並びに公的研究機関との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は485件(国内165件、海外320件、出願中含む)、実用新案は３件(国内３件)です。保有する商標は295件(国内87件、海外208件、出願中含む)です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は19億３百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置(Ｕ－ＶＣＰ及びＵ－ＶＣＰＳ)の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置については、金属イオン分析システムを組み合わせたシステムを開発し、幅広い浴に対応した管理装置を提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は１億89百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

６【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は20億14百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

　ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクス等に対応したプロセス開発に注力しています。

イ. 最終表面処理関連

一層進むファインパターン化に対応するために銅上直接無電解金/パラジウム/金（ＩＧＥＰＩＧ）プロセスの有効性が確認できたため、そのプロセス開発に注力しています。

一方で拡大するフレキシブル基板に対応した無電解ニッケル/無電解金（ＥＮＩＧ）薬品の開発にも取り組んでおります。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、主にパワーデバイス関連で実績を上げるとともに、ロジックデバイスに適合したプロセスの開発を行っており、計５製品を上市いたしました。

ロ. 銅めっき関連

さらなる細線化や各種樹脂に対応するために、当社独自のＭＳＡＰやロープロファイル向けに前処理プロセスや無電解銅めっきの開発並びに、これらのめっき技術を応用してファンアウト基材へのめっき液の開発も行いました。電気銅めっき関係では、パッケージ基板へのポストめっき用高速電解銅めっき浴並びにウェハーの再配線浴を開発し、無電解銅と合わせて計３プロセスの製品を上市いたしました。

引き続きＳＡＰに最適な穴埋め性と膜厚均一性に優れた浴や小径スルホールフィリングに適した浴等で実績を挙げるとともに、ウェハー用の再配線やポスト形成に適した浴の開発も進めています。

②　電子部品並びに汎用無電解めっきの強化

　当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用の中性のニッケル、錫めっき浴や基板用途の電気錫めっき、ウェハーのバンプ用電気錫合金めっきの開発にも注力しており、一部は品揃えが完了しております。一方で、次世代パワーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルプロセスや車載用機械要素部品へのめっき浴の開発を継続しています。

③　環境・資源問題への配慮

重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴やホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等の開発、ＲｏＨＳ指令への対応としてウィスカ制御可能な電気錫めっき浴等の品揃えにも努めております。

④　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、海外開発品の日本市場への展開も行われております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

⑤　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学並びに公的研究機関との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑥　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は428件（国内158件、海外270件、出願中含む）、実用新案は４件（国内４件）です。保有する商標は278件（国内82件、海外196件、出願中含む）です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は18億44百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置（Ｕ－ＶＣＰ及びＵ－ＶＣＰＳ）の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置については、ウェハー用薬液のシステムを新たに加えて、各種浴管理装置を提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は１億70百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。

６【研究開発活動】

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。

当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は21億49百万円であります。

（１）表面処理用資材事業

①　プリント配線板(ＰＷＢ)/半導体パッケージ(ＰＫＧ)対応技術の強化

　ＰＷＢ/ＰＫＧ関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクスに対応したプロセス等に注力しています。

イ. 最終表面処理関連

従来技術のさらなるレベルアップとともに、一層進むファインパターン化に対応するために銅上直接無電解パラジウム/無電解金（ＥＰＩＧ）プロセス並びに前処理の開発に注力しています。

一方で低コスト要求に応えた低濃度金置換浴の開発にも取り組みました。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、パワーデバイスやロジックデバイスに適合したプロセスの開発を行い、環境にも優しいシアンフリーの置換金浴などを開発しました。加えて、電気貴金属めっきにも注力して開発しております。

ロ. 銅めっき関連

さらなる細線化や各種樹脂に対応するために、当社独自のダイレクトプロセスやロープロファイル向けの前処理プロセスの開発を継続しています。無電解銅めっき関係では、次世代セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）やトレンチフィリングによるパターンめっきを可能とした浴等を開発しました。電気銅めっき関係では、ＳＡＰに最適な穴埋め性と膜厚均一性に優れた浴や小径スルホールフィリングに適した浴等で実績を挙げるとともに、ウェハー用の再配線やポスト形成に適した浴の開発も進めています。

ハ.その他

当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用の中性のニッケル、錫めっき浴や基板用途の電気錫めっき、ウェハーのバンプ用電気錫合金めっきの開発も注力しており、一部は品揃えが完了しております。

一方で従来よりも黒みの強い黒色無電解ニッケルめっきプロセスも開発しました。

②　環境・資源問題への配慮

重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴やホルマリンフリーの無電解銅めっき浴並びにパーフルオロオクタンスルホン酸塩（ＰＦＯＳ）フリー複合めっき浴の開発、品揃えにも努めております。

一方、ＲｏＨＳ指令への対応としてウィスカ制御可能な電気錫めっき浴等も品揃えしております。

③　海外開発拠点との技術協力推進

現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、海外開発品の日本市場への展開も行われております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。

④　基礎研究分野における産官学の連携

国内外の大学並びに公的研究機関との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。

⑤　プロパテント政策

当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は407件（国内153件、海外254件、出願中含む）、実用新案は４件（国内４件）です。保有する商標は283件（国内87件、海外196件、出願中含む）です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。

表面処理用資材事業に係る研究開発費は19億87百万円であります。

（２）表面処理用機械事業

　装置及び浴管理装置の開発

　当社独自の技術であるＳＡＰ対応縦型連続搬送装置（Ｕ－ＶＣＰ及びＵ－ＶＣＰＳ）の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置については、ウェハー用薬液のシステムを新たに加えて、各種浴管理装置を提供しております。

表面処理用機械事業に係る研究開発費は１億61百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。